双极工艺教材课程.ppt

双极工艺;TTL I2L ECL;双极型晶体管是最早发明的半导体器件。在早期的集成电路生产中双极型工艺曾是唯一可能的工艺 双极型工艺凭借其高速、高跨导、低噪声以及较高的电流驱动能力等方面的优势，发展很快，目前主要的应用领域是模拟和超高速集成电路。;;TTL I2L ECL;TTL I2L ECL;TTL I2L ECL;TTL I2L ECL;TTL I2L ECL;TTL I2L ECL;TTL I2L ECL;TTL I2L ECL;*;TTL I2L ECL;TTL I2L ECL;TTL I2L ECL;TTL I2L ECL;TTL I2L ECL;TTL I2L ECL;TTL I2L ECL;TTL I2L ECL;TTL I2L ECL;TTL I2L ECL;TTL I2L ECL;TTL I2L ECL;TTL I2L ECL;BCD(Bipolar-CMOS-DMOS)工艺;BCD工艺;BCD工艺发展方向;;;BCD工艺新兴技术发展趋势;⑴HVCMOS-BCD主要用于彩色显示驱动（LCD和OLED驱动）； ⑵RF-BCD主要用于实现手机RF功率放大器输出级； ⑶BCD-SOI(硅片键合式)主要用于无线通信的XDSL驱动 SOI的方法有利于减少各种寄生效应。很早就有相关研究，但是由于以前 SOI材料很贵，没有得到广泛应用，只有最近几年SOI才正逐渐成为主流的方法，SOI是许多特定应用的上佳选择。;互补双极工艺技术;;互补双极工艺技术的重大突破;VIP10采用先进的工艺技术结构，具有很多优点。 ?活性区是采用Bonded Water技术制成的绝缘硅片，四周有蚀刻沟道，并以填料填满沟道，成为绝缘边。 ?VIP10?晶体管的集电极均已完全加以电介质隔离(DI)，而且集电极和基底或井之间并无反向偏压接面。;;根据密勒效应，集电极基极接面的电容会因应电压增益级的输入而增加，因此在高速的芯片设计之中?Cjb具有关键作用。以高速的晶体管来说，其轻微掺杂的内部基极接面与高度掺杂的外部基极扩散接面连接。这个外部的基极区在基极周边形成一个较大的接面电容。 ;OVER!