内存故障维修讲解材料.ppt

《计算机维修技术》 第7章 内存故障维修 教学目标： 通过本章的学习，学生将了解内存的类型、特点以及发展历史，掌握内存维修的原则和方法。 教学重点与难点: 存储器的分类 内存条的组成 内存条的主要技术性能 7.1 内存的发展与类型 DDR SDRAM（双数据率同步动态随机存储器） DDR内存在SDRAM基础上改进了技术。DDR SDRAM在时钟 脉冲的上升沿和下降沿都可传输数据，在不提高时钟频率的情 况下，使数据传输率提高了一倍。 · DDR内存在每个时钟周期中可以存取2个数据； · DDR内存数据传输频率为200～400MHz； · DDR芯片容量为128Mbit～1Gbit； · DDR采用SSTL信号标准，电压为2.5V； · DDRII内存增加到4个数据。 · DDRII提高到400～800MHz。 · DDRII芯片容量为256Mbit～2Gbit。 · DDRII采用SSTL2信号标准，电压为1.8V。 ROM的类型 (1)EPROM：可以多次写入数据，写入数据时需要专用设备。 (2)EEPROM：保存数据不需电池，数据存储长达十年之久。 (3)Flash ROM：也称为Flash Memory，可在不加电下长期保存 信息。Flash ROM普遍用作BIOS芯片，存储容量有1Mbit、 2Mbit、4Mbit等类型。 7.2 内存芯片工作原理 存储细胞由晶体管和电容组成，可以保存一位二进制数。 DRAM存储细胞电路原理 ·在DRAM存储细胞电路中，晶体管M的作用是一个开关器件， 它控制着数据输入线D端到存储电容CS之间的电流通断。当晶 体管M处于闭合（ON）状态时，数据线D端到存储电容CS之间 是连通的。当晶体管M处于断开（OFF）状态时，数据线D端 到存储电容CS之间不能连通。可见晶体管开关M控制着电容CS 的充电和放电。 ·电路中存储电容CS的作用是保存数据，当电容CS中充有电荷时， 存储器为逻辑“1”状态，当电容CS中没有电荷时，存储器为逻 辑“0”状态。 ·字线WL的作用是控制晶体管M的开关状态，当WL=1时，晶 体管M处于闭合（ON）状态，这时允许在数据线D端进行写 或读操作。当WL=0时，晶体管M处于断开（OFF）状态，这 时数据线D端的信号不能写入或读出，DRAM保持电路的原来 状态。 ·数据线D也称为“位线”，他是数据位写入或读出的端点。 SRAM存储单元工作原理 SRAM存储细胞（Cell）的工作原理类似于一 个开关，当接通开关时，相当于“1”状态，当 关闭开关时，相当于“0”状态。如果不去改变 开关，它就保持上次的状态。 静态存储器SRAM经常用来设计高速缓存 （Cache）存储单元。 SRAM存储细胞中的每一位，都是由4～6个 CMOS晶体管构成，因此保存一个字节的数 据，需要8个这样的存储单元，也就是说需要 32～48个CMOS晶体管。 SPD芯片 从PC100内存标准开始，内存条上就带有SPD芯片。内存条制 造商将该内存条的基本技术参数预先写入这个SPD芯片。 SPD芯片记录了内存芯片的速度、工作频率、芯片容量、工作 电压、行、列地址、带宽、CL、tRCD、tRP、tAC等参数。 内存条插座 7.4 内存条主要技术性能 内存条技术规范 内存主要有JEDEC组织和英特尔公司两种技术规范。 内存规范有PC100～PC5300等。 规范规定了内存类型、工作频率、传输带宽等技术参数。 内存条速度技术指标 一是提高内存工作的时钟频率，二是尽量减少各种内存操作过 程中的延时。 内存数据读写的延迟一般用“A-B-C-D”的形式表示，它们分别 对应的参数是：CL-tRCD-tRP-tRAS。 例：“2-2-2-5”，第1个数字代表CL周期为2；第2个数字代表 tRCD周期为2；第3个数字代表tRCD周期为2；第4个数字代表 tRAS周期为5。 (1)内存时钟周期（tCK）：值越小内存数据存取速度越快。 (2)数据存取时间（tAC）：值越小存取速度越快。 (3)列地址选择延迟（CL）：一般有CL2、CL2.5、CL3等。 (4)RAS相对CAS的延迟（tRCD）：值越小内存速度越快。 (5)行预充电有效周期（tRP）：值越小内存速度越快。 (6)预充电最短周期（tRAS）：值越小内存速度越快。 (7)突发长度（BL）：执行一个寻址周期后，连续读写几个数据， 这就是突发周期。 内存突发长度BL一般为4或8，对于显存BL为128～256。 内存条带宽技术指标 内存带宽是数据在内存总线上的最大传输量，它与内存时钟频 率、总线宽度、一个时钟周期内传输数据的次数有关，一般以 GB/s为单位，内存带宽的计算下式如下： 内存带宽＝内存时钟