东芯IV SEP3203F50系统中FLASH烧录说明.pdfVIP

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2018-04-13 发布于河北
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东芯IV SEP3203F50系统中FLASH烧录说明.pdf

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东芯IV SEP3203F50系统中FLASH烧录说明

南京博芯电子技术有限公司（） SEP3203 系统中 Flash 烧录说明东芯 IV SEP3203F50 系统中 Flash 烧录说明南京博芯电子技术有限公司（PROCHIP）南京博芯电子技术有限公司（） SEP3203 系统中 Flash 烧录说明版本说明版本号日期编写人描述 V1.0 12/10/2004 肖建创建文档南京博芯电子技术有限公司（） SEP3203 系统中 Flash 烧录说明目录 1 NAND Flash 烧录 4 1.1 NAND FLASH 烧录程序 4 1.2 NAND Flash 烧录步骤 5 2 NOR Flash 烧录8 2.1 NOR FLASH 烧录程序8 2.2 NOR Flash 烧录步骤9 南京博芯电子技术有限公司（） SEP3203 系统中 Flash 烧录说明 1 NAND Flash 烧录 1.1 NAND FLASH 烧录程序首先，设置GHIO PH5口为高电平，使得Nand Flash写保护失效，即使 Nand Flash写使能。然后把需要写入数据的Nand Flash部分通过调用 Dma_Nand_Erase()进行擦除。Erasehead为需要擦除的块的首地址，blknum为需要擦除的块的个数，该参数需要通过计算得到: Blknum = (烧录Image总大小)/ 16Kbytes Dma_Nand_Erase()函数每次完成的是以Erasehead为首地址的一个EB（大小为16KB）的块擦除的动作。如果成功则返回1，失败则返回0。如果返回出错信息，则擦除动作出错。南京博芯电子技术有限公司（） SEP3203 系统中 Flash 烧录说明第二步，两次调用Dma_Nand_Write()将所需烧录的代码烧至指定位置。 Dma_Nand_Write()函数完成从Sdram_download_add到Nand_internal_add，数据量大小为512bytes的一次写入动作。参数Sdram_download_add为Image需要load的Sdram中的地址，参数 Nand_internal_add为Nand内部地址，即需要烧录的目标地址，这两个参数在实际操作中应该根据需要进行修改。Pagenum为烧录大小，单位为页（512bytes），需要根据实际烧录大小计算得到： Pagenum＝ (Image大小)/ 512bytes 1.2 NAND Flash 烧录步骤具体烧录过程如下：计算好需要烧录代码的大小，根据实际需要修改main.c文件中的 blknum，pagenum两个参数的大小值；运行AXD，在Erase（）之后和第二次烧录前设置断点南京博芯电子技术有限公司（）