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2018-04-26 发布于贵州
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DTM4953 Dual P-Channel 30 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY • TrenchFET® Power MOSFET VDS (V) - 30 • AEC-Q101 Qualifiedc RDS(on) () at VGS = - 10 V 0.046 • 100 % R and UIS Tested g RDS(on) () at VGS = - 4.5 V 0.078  ID (A) per leg -5.4 Configuration Dual SO-8 S1 S2 S1 1 8 D1 G1 2 7 D1 G1 G2 S2 3 6 D2 G2 4 5 D2 Top View D1 D2 P-Channel MOSFET P-Channel MOSFET ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T = 25 °C, unless otherwise noted) C PARAMETER SYMBOL LIMIT UNIT Drain-Source Vol