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国际整流器IR IRF3205S/L HEXFET? Power MOSFET *先进的加工技术 Thermal Resistance *极低的导通阻抗 VDSS = 55V *动态的dv/dt等级 RDS(on) = 8.0mΩ *175°C运行温度 ID = 110A *充分的雪崩等级 TO-262 D2Pak IRF3205L IRF3205S 描述 来自国际镇流器公司先进的HEXFET R功率金属氧化物半导体场效应晶体管，利用先进的处理技术达到每个硅片极低的 导通阻抗。这样有益于结合高速的开关和可靠使MOSFETS大量地实用设备上，使设计师能够非常高效，可靠的应用在 各个方面。 D2Pak表面封装的适合于小功率大面积小HEX-4。它能够提供最大的功率输出和最可能小的导通阻抗在现有的贴片封装 下。D2Pak适合与大电流应用场合，是因为它有低的内部连接阻抗和具有2W的散热能力，是典型的贴片封装应用。 最大额定参数 参数 最大值 单位 ID @ TC = 25°C 持续漏极电流，Vgs@10V 110 A ID @ TC =100°C 持续漏极电流,Vgs@10V 80 A IDM 脉冲漏极电流， 390 A PD @TC = 25°C 功率消散 200 W 线性额定降低因数 1.3 W/°C VGS 门极电压 ±20 V IAR 雪崩电流 62 A EAR 重复雪崩能量 20 mJ dv/dt 二极管恢复峰值电压变化率 5.0 V/nS TJ ，TSTG 工作节点温度和保存温度 -55 to +175 °C 焊接温度，在10秒内 300（假设为1.6mm） °C 封装 扭矩 10 lbf?in (1.1N?m) 热阻特性 参数 典型值 最大值 单位 RθJC 节点到外壳 —— 0.75 °C/W RθJA 接点到环境（PCB安装，稳定状态） —— 40 电气特征 @Tj=25°C (除非有其他详细说明) 参数 最小 典型 最大 单位 测试条件 V(BR)DSS ~ 55 —— —— V VGS = 0V, ID = 250μA ΔV(BR)DSS/ΔTJ 击穿电压的温度系数 —— 0.057 —— V/°C 参考为25°C,Id=25mA RDS(on) 静态漏源导通电阻 —— —— 8m? VDS = VGS, ID = 250μA  VGS(th) 门极开启电压 2.0 —— 4.0 V VDS = 25V, ID = 62A. gfs 前向跨导 44 —— —— s VDS = 25V, ID = 62A. IDSS 漏源漏电流 —— —— 100 uA VDS=25V,VGS=0V,TJ=150℃ —— —— -100 VDS=-20V Qg 总体门极电荷 —— —— 146 nC ID=62A VDS=44V VGS=10V,See Fig.6 and 13 Qgs 门源电荷 —— —— 35 Qgd 门漏电荷 —— —— 54 td(on) 打开延时 —— 14 —— ns VDD=28V ID=62A RG=4.5Ω VGS=10V,See Fig.6and 13 tr 上升时间 —— 101 —— td(off) 关断延时 —— 50 —— tf 下降时间 —— 65 —— LD 内部漏极自感 —— 4.5 —— nH Between lead, 6mm(0.25in) From package And center of die contact LS 内部源极自感 —— 7.5 —— CISS 输入电容量 —— 3247 —— pF VGS=0V VDS=25V f=1.0MHz.See Fig.5 CDSS 输出电容量 —— 781 —— CRSS 反向恢复时间 —— 211 —— EAS 反向恢复电荷 —— 1050 ○6 264 mJ IAS=62A,L=138uH 漏源极限和特征 参数 最小 典型 最大 单位 测试条件 IS 持续源极电流（自身二极 管） —— —— 110 A MOSFET symbol showing the integral reverse p-n junction diode. ISM 脉冲源极电流（自身二极 管） —— —— 390 VSD 二极管前向压降 —— —— 1.3 V TJ=25℃,IS=62A,VGS=0V 4 trr 反向恢复时间 —— 69 104 ns TJ=25℃,IF=62A di/dt=100A/us4 Qrr 反向恢复电荷 —— 143 215 nc ton 前向恢复时间