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14 章 半导体器件 一、填空题 1、PN 结的单向导电性指的是 _____________________。 2、硅晶体管和锗晶体管工作于放大状态时，其发射结电压UBE 分别为____V 和____V。 3、晶体三极管有两个PN 结 ，分别是_____和_____ ，分三个区域_____、_____和_____。 晶体管的三种工作状态是________、________和_________。 4、一个NPN 三极管发射结和集电结都处于正偏 ，则此三极管处于______状态 ；其发射 结和集电结都处于反偏时，此三极管处于______状态 ；当发射结正偏、集电结反偏时， 三极管为_______状态。 5、物质按导电能力强弱可分为______、______和______。 6、本征半导体掺入微量的三价元素形成的是____型半导体 ，其多子为_____。 7、某晶体三极管三个电极的电位分别是：V1 ＝2V ，V2 ＝1.7V ，V3 ＝－2.5V ，可判断该 三极管管脚“1”为_____极 ，管脚“2”为_____极 ，管脚“3”为_____极 ，且属于____ 材 _______型三极管。 8、稳压管是一种特殊物质制造的面接触型硅二极管，工作在特性曲线的_______区。 9、导电性能介于______与_______之间的叫半导体。 10、将______封装起来并加上_______就构成了半导体二极管。 11、PN 结正向偏置时_____ ，反向偏置时______ ，这种特性称为PN 结的_____ ，但是 当硅材 的PN 结正向偏压小于______ ，锗材 的PN 结正向偏压小于______时，PN 结仍不导通 ，我们把这个区域叫______。 12、最常用的半导体材 有______和______。 13、有一锗二极管正反向电阻均接近于零 ，表明二极管______ ，又有一硅二极管正反 向电阻接近无穷大，表明二极管________。 14、从二极管P 区引出的电极为_______ ，N 区引出的电极为______。 15、将二极管的正向电阻与反向电阻比较，相差越______ ，导电性_____。 16、当加到二极管上的反向电压增大到一定数值时 ，反向电流会突然增大 ，此现象称为 __________现象。 17、N 型半导体中多子是______ ，是通过掺入_____价元素后形成的掺杂半导体。 18、用一只万用表不同的欧姆档分两次测得某个二极管的电阻分别为250 和 ，产生 这种现象的原因是_______________________。 19、测得某正常线性放大电路中晶体管三个管脚x、y、z 对地的静态电压分别为5V、 4.3V、9V ，则可判断出x、y、z 分别为三极管的_______ 极、_______ 极、________ 极，此管为_______管。 （填“NPN”或 “PNP”） 20、P 型半导体中多子是 、少子是 。 21、在二极管 流电路中 ，主要是利用二极管的 _____________________特性。 22、已知某放大状态的晶体管的β＝50 ，现测得其I ＝2mA ，忽略I ，则I 为 E CEO B mA。 23、用万用表直流电压档测得电路中晶体管各电极的对地电位，试判断这些晶体管分别 处于那种工作状态 （饱和、截止、放大、或已损坏）。 （A 为锗材 ，BC 为硅材料） A 处于 ；B 处于 ；C 处于 。 24、PN 结外加正向电压时，扩散电流_______漂移电流（填“大于”或 “小于”）， 耗尽层变_______ （填“宽”或 “窄”）。 25、下图 14-1-25 中D1-D3 为理想二极管，A ，B ，C 灯都相同 ，其中最亮的灯是 灯。 图14-1-25 26、测得某NPN 管的VBE ＝0.7V ，VCE ＝0.2V ，由此可判定它工作在_______区。 27、当PN