(重点)二极管().ppt

2、掌握PN结的单向导电性 (2)PN结加反向电压（反向偏置） (2)PN结加反向电压（反向偏置） 3.了解PN结的电流方程 4.掌握PN结的伏安特性 5.了解PN结的电容效应 5.了解PN结的电容效应 5.了解PN结的电容效应 二、重点掌握伏安特性 三、了解主要参数 有正向电流流过时发光。电－＞光的能量转换器件。 电路中常用做指示或显示及光信息传送。 1. 各电极电流分配关系及电流放大作用 三、晶体管的共射特性曲线 四、了解晶体管的主要参数 共射交流电流放大系数 1.4 场效应管(FET) 结型场效应管JFET N沟道结型场效应管 P沟道结型场效应管 绝缘栅型场效应管MOS 增强型 N 沟道增强型MOS管 P 沟道增强型MOS管 耗尽型 N 沟道耗尽型MOS管 P沟道耗尽型MOS管 一、结型场效应管JFET 1、 结构及电路符号 （1）输出特性曲线： iD=f（uDS ）│UGS=常数 三、场效应管的主要参数 四、场效应管与晶体管的比较 二极管电路分析举例 N G S D VDD VGG （uGS） N N P P ID N D P P ③当uDS ↑,使uGD=uG S- uDS=UGS（off)时，在靠漏极处夹断——预夹断。 UGS(off)uGS0时 N G S D VDD VGG （uGS） N N P P ID N D P P ④uDS再↑，预夹断点下移。 UGS(off)uGS0时 uDS↑→ID 几乎不变。 3、结型场效应三极管的特性曲线 四个区： ①可变电阻区： 预夹断前。 ②恒流区： 预夹断后。 △ iD /△ uGS ≈常数= gm △ iD = gm △ uGS （放大原理） ③夹断区 ④击穿区 (a) 输出特性曲线 　　　 (b) 转移特性曲线 （2）转移特性曲线： iD=f（ uGS ）│uDS=常数 　　IGFET(Insulated Gate Field Effect Transistor) 　　MOS(Metal-Oxide-Semiconductor) 应用：集成电路 分类： 　N沟道增强型 　N沟道耗尽型 　P沟道增强型 　P沟道耗尽型　 二、绝缘栅型场效应管 取一块P型半导体作为衬底，用B表示。 用氧化工艺生成一层SiO2 薄膜绝缘层。 然后用光刻工艺腐蚀出两个孔。 扩散两个高掺杂的N区。 　　从N型区引出电极，一个是漏极D，一个是源极S。 在源极和漏极之间的绝缘层上镀一层金属铝作为栅极G。 符号 D G S B 形成两个PN结。（绿色部分） 结构 1、N沟道增强型MOS管 令漏源电压uDS=0，加入栅源电压uGS。 uGS排斥空穴，形成一层负离子层（耗尽层）。 感生电子电荷，在漏源之间形成导电沟道。称为反型层。 若加上uDS ，就会有漏极电流 iD产生。 反型层 工作原理 （1）栅源电压uGS的控制作用 工作原理 （1）栅源电压uGS的控制作用 当uGS较小时， iD＝0 当uGS增加到一定数值使 iD 刚刚出现，对应的UGS称为开启电压，用UGS(th)或UT表示。 改变uGS－＞改变沟道－＞影响iD ：uGS对iD有控制作用。 设uGS＞UGS(th)，增加uDS，沟道变化如下： uDS从漏到源逐渐降落在沟道内，漏极和衬底之间反偏最大，PN结的宽度最大。 漏源之间会形成一个倾斜的PN结区。 预夹断 工作原理 （2）漏源电压uDS的控制作用 预夹断 uDS UDS再　， ID基本不变，增加的UDS基本上降落在夹断区。 转移特性曲线 （3）N沟道增强型MOS管特性曲线 iD = f ( uGS )? UDS=const O V 2 GS = U V 3 + V 5 . 3 + V 4 + D I mA / 15 10 5 D U /V 恒流区 . 夹断区 可变电阻区 工作原理 输出特性曲线 iD = f ( uD )? UGS=const 1. 最大整流电流 IF 二极管长期工作时，允许流过二极管的最大正向平均电流。几mA到几百安培 2. 反向工作峰值电压UR 保证二极管不被击穿允许外加的最大反向电压。通常为U (BR)的一半。 3. 反向电流IR 指二极管未击穿时的反向电流。 愈小愈好。 一般几纳安到几微安。 4. 最高工作频率fM :其值主要决定于PN结结电容的大小。结电容愈大，则fM愈低。 死区电压 = 0 导通电压 = 0 vD O iD 1、理想二极管 vD O iD 2、恒压降模型 死区电压 = 0 .7V 导通电压 ? 0.7V （硅管） 四、熟练应用二极管的等效电路 U I IZ IZmax ?UZ