1.2三极管.ppt

第1章 半导体器件 1-2-2 电流分配和放大原理 1-2-3 特性曲线 实验 1-2-4 主要参数 半导体器件(三极管)部分内容小结 温度对晶体管特性及参数的影响 本节课教学要求 练习题 三极管的测试与应用 我国晶体管得型号命名方法 * 第2节 半导体三极管 1-2-1 基本结构 1-2-2 电流分配和放大原理 1-2-3 特性曲线 1-2-4 主要参数 1 基本结构 B E C N N P 基极 发射极 集电极 NPN型 P N P 集电极 基极 发射极 B C E PNP型 1-2 半导体三极管 B E C N N P 基极 发射极 集电极 基区：较薄，掺杂浓度低 集电结：面积较大 发射区：掺杂浓度较高 B E C N N P 基极 发射极 集电极 发射结 集电结 B E C IB IE IC NPN型三极管 B E C IB IE IC PNP型三极管 符号 三极管的结构特点：基区特别薄，发射区掺杂浓度特别高，集电结面积特别大。 一、实验测试方法 IC mA ?A V V UCE UBE RB IB EC EB 结论: 1. IE=IC+IB 3. IB=0时, IC=ICEO（穿透电流） 4.要使晶体三极管处于放大状态, 发射结必须正偏,集电结必须反偏。 二. 电流放大原理* B E C N N P EB RB EC IE 基区空穴向发射区的扩散可忽略。 IBE 进入基区的电子少部分与基区的空穴复合，形成复合电流IBE ，多数扩散到集电结。 发射结正偏，发射区电子不断向基区扩散，形成发射极电流IE。 B E C N N P EB RB EC IE 集电结反偏，集电区少子漂移形成的反向电流ICBO ICBO IC=ICE+ICBO?ICE IBE ICE 从发射区扩散来的电子作为基区的少子，漂移进入集电结而被收集，形成ICE IB=IBE-ICBO?IBE IB B E C N N P EB RB EC IE ICBO ICE IC=ICE+ICBO ?ICE IBE ICE与IBE之比称为电流放大倍数 无数次试验发现：漂移到集电区的电子数（或其变化量）与在基区复合的电子数（或其变化量）总成比例，即ICE与IBE之比为一常数，称作电流放大倍数。 一.输入特性 UCE ?1V IB(?A) UBE(V) 20 40 60 80 0.4 0.8 工作压降： 硅管UBE?0.6~0.7V,锗管UBE?0.2~0.3V。 UCE=0V UCE =0.5V 死区电压，硅管约0.5V，锗管约0.1V。 二、输出特性 IC(mA ) 1 2 3 4 UCE(V) 3 6 9 12 IB=0 20?A 40?A 60?A 80?A 100?A 此区域满足IC=?IB，称为线性区（放大区）。 当VCE大于一定的数值时，IC只与IB有关：IC=?IB。 IC(mA ) 1 2 3 4 VCE(V) 3 6 9 12 IB=0 20?A 40?A 60?A 80?A 100?A 此区域中VCE?VBE,集电结正偏，集电极电流不再受基极电流的控制，VCE?0.3V，称为饱和区。 IC(mA ) 1 2 3 4 UCE(V) 3 6 9 12 IB=0 20?A 40?A 60?A 80?A 100?A 此区域中 : IB=0,IC=ICEO,VBE 死区电压，称为截止区。 输出特性三个区域的特点: 放大区：发射结正偏，集电结反偏。 IC=?IB , 且 ?IC = ? ? IB (2) 饱和区：发射结正偏，集电结正偏。 即：VCE?VBE ， ?IBIC，VCE?0.3V (3) 截止区： VBE 死区电压， IB=0 ， IC=ICEO ?0 注意：结------PN结； 极------电极； 集------收集！！！ 共射极放大电路 iB UBB uBE iE b c + - uCE e iC UCC 表1 电流单位：mA iB 0 0.02 0.04 0.06 0.08 0.10 iC 0.001 0.70 1.50 2.30 3.10 3.95 iE 0.001 0.72 1.54 2.36 3.18 4.05 三极管发射极是输入输出的公共点，为共射接法，相应地还有共基、共集接法。 共射直流电流放大倍数： 工作于动态的三极管，真正的信号是叠加在直流上的交流信号。基极电流的变化量为?IB，相应的集电极电流变化为?IC，则交流电流放大倍数为： 1. 电流放