- 1、本文档共22页,可阅读全部内容。
- 2、有哪些信誉好的足球投注网站(book118)网站文档一经付费(服务费),不意味着购买了该文档的版权,仅供个人/单位学习、研究之用,不得用于商业用途,未经授权,严禁复制、发行、汇编、翻译或者网络传播等,侵权必究。
- 3、本站所有内容均由合作方或网友上传,本站不对文档的完整性、权威性及其观点立场正确性做任何保证或承诺!文档内容仅供研究参考,付费前请自行鉴别。如您付费,意味着您自己接受本站规则且自行承担风险,本站不退款、不进行额外附加服务;查看《如何避免下载的几个坑》。如果您已付费下载过本站文档,您可以点击 这里二次下载。
- 4、如文档侵犯商业秘密、侵犯著作权、侵犯人身权等,请点击“版权申诉”(推荐),也可以打举报电话:400-050-0827(电话支持时间:9:00-18:30)。
查看更多
电子教案 江苏大丰中等专业学校
复习导入 1、简述晶体二极管的伏安特性。 正向导通,反向截止。 2、用实验如何判断二极管的质量? 用万用表的欧姆档测二极管PN结的正反向电阻,根据电阻的大小来判断。 例1:如下图所示,已知三极管处于放大状态,且 已知三极管各极对地电位。试判断三极管的类型(NPN或PNP)、材料(硅或锗)及e、b、c各极判断各个晶体管的工作状态。 分析:根据已知条件,三极管处于放大状态。NPN型:VCVBVE 。PNP型:VCVBVE。 例2:如下图所示 ,已知三极管各个电极对地电位。判断该管的管型、材料、并判断三极管的工作状态。 (设NPN型为硅管,PNP型均为锗管) 分析:根据三极管的偏置条件来判别。解:首先根据三极管类型和B、E之间的电压差判别三极管是否处于截止区。(a)图中,NPN型管子VBE=7V0.5V.(b)图中,PNP型管子VBE=0.3V0.2V,说明发射结正偏,三极管不处于截止状态。再判别三极管是否处于饱和区。(a)图中,NPN型管子VCE=0.3V,三极管工作在饱和区。(b)图中,PNP型管子VCE=5.3V,说明三极管不在饱和区,则处于放大区。 作业 一、填空题 1.三极管有两个______结,分别为______、______,三极管按内部结构不同分为____和_____型。 2.晶体三极管实现电流放大作用的偏置条件是______ 正偏______反偏,电流分配关系是______。 3.在模拟电子电路中,晶体三极管通常被用作______元件,工作在输出特性曲线上的______区;在数字电子电路中,晶体三极管通常被用作______元件,工作在输出特性曲线上______区或______ 。 4.当温度升高时,三极管的电流放大系数β将______ ,穿透电流ICEO将______ ,发射结电压VCE将______ 。 5.三极管的输出特性曲线可分为三个区域,即______区 、 ______ 区、 ______ 区,当三极管工作在______ 区时,IC=βIB才成立;当三极管工作在饱和区时,VCE= ______ ;当三极管工作在截止区时,IC= ______ 。 二、判断题1.如果集电极电流IC大于集电极最大允许电流ICM时,晶体三极管肯定损坏.( )2.晶体二极管和三极管都是非线性器件.( )3.晶体三极管的主要性能是具有电压和电流放大作用.( )4.因为三极管有两个PN结,二极管有一个PN结,所以用两个二极管可以连接成一个三极管.( )5.无论是哪种晶体三极管,当处于放大工作状态时,b极电位总是高于e极电位;c极电位也总是高于b极电位.( )6.晶体三极管的发射区和集电区是由同一类半导体(N型或P型)构成的,所以e极和c极可以互相使用.( )7.三极管的恒电流特性是指三极管工作于放大状态时,集电极电流几乎不随VCE变化.( )8.一般情况下,晶体三极管的电流放大系数随温度的增加而增加.( ) 三、分析计算题 如下图所示,已知电路中各三极管的三个电极对地电位。试判断各三极管处于何种工作状态。 * 晶体三极管 卞元红 大丰中等专业学校信息工程系 半导体三极管及其放大电路 半导体三极管的结构、三极管电源的接法、电流分配关系、伏安特性曲线 学习重点 1 半导体三极管的结构 2 共发射极基本放大电路 3 晶体三极管的伏安特性 4 温度对三极管参数的影响 学习内容 晶体三极管 一 、 三极管的结构 半导体三极管是由两个背靠背的PN结构成的。在工作过程中,两种载流子(电子和空穴)都参与导电,故又称为双极型晶体管,简称晶体管或三极管。 两个PN结,把半导体分成三个区域。这三个区域的排列,可以是N-P-N,也可以是P-N-P。因此,三极管有两种类型:NPN型和PNP型。 NPN型 PNP型 箭头方向表示发射结加正向电压时的电流方向 二、 共发射极基本放大电路 1 . 放大电路的组成 (1)晶体管V 放大元件,用较小的基极电流IB控制较大的集电极电流IC。 (2)电源VCC和VBB 使晶体管的发射结正偏,集电结反偏,晶体管处在放大状态,同时也是放大电路的能量来源,提供电流IB和IC。VCC一般在几伏到十几伏之间。 (3)基极偏置电阻RB 用来调节基极偏置电流IB,使晶体管有一个合适的工作点,一般为几十千欧到几百千欧。 (4)集电极电阻RC 将集电极电流IC的变化转换为电压的变化,以获得电压放大,一般为几千欧。 2.元件的作用 三、 三极管内部载流子的传输过程 1、产生放大作用的条件 内部:a、发射区杂质浓度基区集电区
您可能关注的文档
- 用户数据报协议 Rming.ppt
- 用户通信终端维修员(初级).doc
- 用户需求书 LD2016GP SZA062.doc
- 用户需求书 广州公共资源交易网.doc
- 用户需求书项目内容详见内容主要技术参数及要求详见.doc
- 用户手册 深圳市科陆物联信息技术有限公司.doc
- 用新的试验方法验证光的反射定律和测定折射率.doc
- 用最小偏向角法测定棱镜玻璃的折射率。山西师范大学物理试验.ppt
- 用滑鼠点选Frame 1.ppt
- 用玻璃毛细管测量透明液体的折射率.ppt
- (高清版)DB13∕T 5652.7-2023 节水型单位评价导则 第7部分:洗浴场所.docx
- (高清版)DB13∕T 5663-2023 鸟巢蕨设施繁育技术规程.docx
- (高清版)DB13∕T 5706-2023 黄秋葵病虫害综合防控技术规程.docx
- (高清版)DB62∕T 996-2022 绿色食品 双孢蘑菇越冬生产技术规程.docx
- (高清版)DB13∕T 5684-2023 金银花质量调控技术规程.docx
- (高清版)DB13∕T 5699-2023 谷子品种生态适应性评价技术规程.docx
- (高清版)DB13∕T 5341-2021 高水分裹包苜蓿青贮技术规程.docx
- (高清版)DB13∕T 5672-2023 公路路基微型桩加固设计与施工技术规范.docx
- (高清版)DB13∕T 5695-2023 GaN HEM∕T射频器件陷阱效应测试方法.docx
- (高清版)DB62∕T 1161-2022 机修梯田技术规范.docx
文档评论(0)