射频通信电路分析说明绪论.ppt

射频通信电路杜正伟; 绪 论 前期课：微波技术， 电子线路 内 容：微波电路理论，应用技术， 半导体知识，通信系统概念;本课的相关课程与技术;一、 微波频段划分与应用领域;微波频段的主要应用领域;;微波频段的主要应用领域 （续）;本课程内容： 几种微波管：三极管(晶体管)、二极管 几种电路：放大器、混频器、振荡器、控制电路 外 加：外围电路(包括匹配电路);2. 有源器件 (1) 有源器件种类 * 半导体 小功率 * 真空器件 大功率 (2) 根据原材料和性能划分 GaAs FET HEMT Si BJT MEMS AlGaAs HBT HEMT PHEMT InP HBT Si-Ge HBT ;三、电路结构形式;电路结构形式;四、发展趋势;六、课程要求;参 考 书;RF Circuit Design Theory and Applications：2002 Radio-Frequency and Microwave Communication Circuits：2001 The RF and Microwave Handbook：2001; 第一章 微波晶体管放大电路;§1.1微波晶体管种类与特性;微波晶体管用途 低噪声放大器(LNA)、功率放大器 振荡器 混频器、上变频器 开关、衰减器;§1.2 BJT硅双极型微波晶体管;2. 单向化功率增益;4. 噪声系数NF ;最小噪声系数(福井公式);§1.3 微波场效应晶体管;;二、短栅 FET的短沟道效应 1. GaAs的电子迁移率;三、FET的管芯等效电路;几个基本参数： * 跨导 gm=Ids /Vgi= 当漏电压Vds一定时，栅压Vgs对漏电流Ids的控制能力。;四、FET噪声;最小噪声系数; BJT和 FET的噪声特性;§1.4 异质结微波晶体管HEMT, PHEMT, HBT,GeSi-HBT;;;