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考试点专业课:上海大学电子技术基础(模拟部分)复习题
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复习题
第一章 半导体器件
1.选择
(1).在半导体中掺入五价磷原子后形成的半导体称为 。
A 本征半导体 B P 型半导体 C N 型半导体 D 半导体
(2 ). N 型半导体多数载流子是带负电的自由电子,N 型半导体 。
A 带正电 B 带负电 C 没法确定 D 电中性
(3 ).PN 结加正向电压时,其正向电流是由 的。
A .多数载流子扩散形成
B .多数载流子漂移形成
C .少数载流子扩散形成
D .少数载流子漂移形成
(4 ).当PN 结外加正向电压时,扩散电流 漂移电流,耗尽层 。
A .大于 变宽 B. 小于 变窄
C. 大于 变窄 D. 小于 变宽
(5 ).二极管的电流方程是 。
u
i I e u i I e UT
DA. S DB. S
u u
i I e UT 1 i I e 1 UT
D S D S
C. D.
(6 ).稳压管的稳压区是其工作在 。
A. 正向导通区 B.反向截止区 C.反向击穿区
(7 ).三极管工作在放大区时,发射结和集电结应为 。
A. 发射结正偏,集电结正偏
B. 发射结正偏,集电结反偏
C. 发射结反偏,集电结正偏
D. 发射结反偏,集电结反偏
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(8 ). GS 时,能够工作在恒流区的场效应管有 。
A. 结型管 B. 增强型 MOS 管 C. 耗尽型 MOS 管
(9 ).工作在放大区的三极管,若当 I B 从12A 增大到 22A 时,I C 从1mA 变为 2mA ,
则它的 约为 。
A. 83 B. 91 C. 100 D. 103
(10).当场效应管的漏极直流电流I D 从2mA 变为4mA 时,它的低频跨导g m 将 。
A. 增大 B. 减小 C. 不变
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U O V D 0.7
2 .二极管电路如图所示,判断图中二极管是导通还是截止,并求 ,设 。
1
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3. 二极管的双向限副电路如图 a ,设 i 如图 b , C1 C 2 ,二极
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