微机原理-储存器讲义.ppt

E2PROM的应用 可通过编写程序实现对芯片的读写，但 每写入一个字节都需判断READY/BUSY 端的状态，仅当该端为高电平时才可写 入下一个字节。 快擦写存储器（Flash memory) 类似EEPROM。它采用一种非挥发性存储技术，即掉电后数据信息可以长期保存 。又能在线擦除和重写，擦除的是整个存储器阵列或者是一个大的存储单元块，而不是一个字节一个字节的擦除。 快闪存储器(Flash Memory)是新一代电信号擦除的可编程ROM。它既吸收了EPROM结构简单、编程可靠的优点，而且集成度可以做得很高。 从原理上看，FLASH Memory属于ROM型存储器，但是它可以随时改写信息；从功能上看，它又相当于RAM。 产品型号有： 28F256 32K×8bit 29010 128K×8bit 目前闪存主要用来构成存储卡，以代替软磁盘。 已大量用于便携式计算机、数码相机、MP3播放器等设备中。 * 对可编程ROM的说明 EPROM对编程电压和电源电压有特征要求，它们的编程和检验是在专用的设备“EPROM编程器”上进行的，对EPROM和微处理器的连接问题通常只考虑数据读出的情况，即地址总线，数据总线，片选CE，以及输出允许OE。 附：存储器扩展技术 位扩展——扩展每个存储单元的位数 字扩展——扩展存储单元的个数 字位扩展——二者的综合 当单片存储器芯片的容量不能满足系统容量要求时，可多片组合以扩充位数或存贮单元数。 多片存储芯片构成一个需要的内存空间，它们在整个内存中占据不同的地址范围，任一时刻仅有一片（或一组）被选中。 位扩展 存储器的存储容量等于： 单元数×每单元的位数 当构成内存的存储器芯片的字长小于内存单元的字长时，就要进行位扩展，使每个单元的字长满足要求。 字节数 字长 * 位扩展 2114 （1） A9～A0 I/O4～I/O1 片选 D3～D0 D7～D4 A9～A0 2114 （2） A9～A0 I/O4～I/O1 CE CE 用SRAM2114A芯片构成1KB存储器。 2114A: 1K x 4，需2片构成1K x 8（8KB） 位扩展例 用2164A芯片构成64KB存储器。 2164A: 64K x 1，需8片构成64K x 8（64KB） LS138 A8~A19 2164A 2164A 2164A DB AB D0 D1 D7 A0~A7 … 译码输出 读写信号 A0~A19 D0~D7 A0~A7 A0~A7 位扩展方法： 将每片的地址线、控制线并联，数据线分别引出。 位扩展特点： 存储器的单元数不变，位数增加。 =2（片） 位扩展 例：用8K×8bit的6264扩充形成8K×16bit的芯片组，所需芯片： 8K×16bit 8K×8bit 方法—— 两个芯片的地址线、片选信号及读/写控制线分别互连； 两个芯片的数据线各自独立， 一片作低8位（D0~D7）, 另一片作高8位（D8~D15）。 即，每个16位数据的高、低字节分别存于两个芯片，一次读/写操作同时访问两个芯片中的相同地址单元。具体连接如右。 字扩展（容量扩展、单元扩展） 地址空间的扩展。芯片每个单元中的字长满足，但单元数不满足。 扩展原则： 每个芯片的地址线、数据线、控制线并联，仅片选端分别引出，以实现每个芯片占据不同的地址范围。 用两片64K×8位的SRAM芯片构成容量为128KB的存储器。已知两片芯片的地址范围分别为20000H～2FFFFH和30000H～3FFFFH。 字扩展例 分析： （1） 因为每个SRAM存储芯片的容量为64K个存储单元 则：存储芯片的地址线有16根， 构成128KB的存储器需2个这样的芯片 （2）地址线连接：AB的A0-A15接到每个芯片的A0-A15 AB的A16-A19接到138译码器进行片选译码 （3）数据线连接：DB的D0-D7接到每个存储芯片的D0-D7 （4）控制线连接：? ① MEMR、MEMW分别接到每个存储芯片的OE和WE， 同时作为地址译码的允许信号 ② 片选输出Y2接到RAM1的片选端，Y3接到RAM2的 片选端(由于高四位的地址取值分别为0002、0003) 字扩展例 字扩展的方法：每