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6．Wire bonding loop Q-Loop ‘M’ – LOOP Square Loop PENTA LOOP LOOP有以下四種類型： 序號 參數名稱 單位 功能說明 1 Reverse Height(RH) Step 反向弧度高度(1 Step =10um範圍: 1- 400 step ) 2 Reverse Distance (RD) Step 反向拉弧距離(RD=%RH )如：圖1 3 Loop Height Correction(LHC) Step 弧度高度補償，LHC越大則弧度的金線越長(1step=10um範圍:25-1500um 1 – 59 mil ）如：圖2 4 Search Delay(SD) Dac 搜尋延遲時間，拉弧路徑至最高點後所延遲的時間（範圍: 0 ~ 60，主要控制Loop Base的一致性，典型的設定值為3 ） 5 Deceleration(DEC) Dac 拉弧減速，DEC越小則弧度越緊，反之則否，主要控制線弧彈道的中間部份 。（範圍: 0 ~96 ） 6 Sync offset Dac 線尾拉弧補償，與DEC相近，越小則線尾弧度越緊，反之則否（範圍: -16 ~ 32 ，典型的設定值為3） 7 Reverse Distance Angle（RDA) Dac 是设定所折的角度大小， 放 “-” 则 角度会变比较尖，放“+”则角度会比较圆滑。（範圍:-90 ~ 90 ） 如：圖3） Q-LOOP輪廓及參數說明： Reverse Distance Angle 功能在定義Reverse Distance 方位 注意:假如反向拉弧的角度超過20度，可能會產生neck crack 圖1 圖2 圖3 不好 不好 好 好 7．Wire bond不良分析 Wire bond品質不良 人 支架方向放反 支架在機台焊接區放置太久 拿取支架動作不正確，將線弧壓倒 Bond base參數設定不良 法 Loop base參數設定不良 環 ESD超標 機台預熱溫度超標 CLAMP按裝不良，Bonding時支架有鬆動 機 Transduce force不穩定 機台未保養，wire clamp、Au wire氣夾污染 Au wire不良、污染 料 Capillary到使用壽命未及時更換 Die bond不良，缺膠、晶片粘膠、固雙晶 Lead frame氧化、污染 plasma清洗效果不佳 THE END Thanks CONFIDENTIAL Wire Bonding 技術入門 Wire Bonding原理 Bonding用 Wire Bonding用 Capillary 焊接时序圖 BSOBBBOS Wire bonding loop(線弧) Wire bond不良分析 Prepared by: 神浩 Date: Nov. 11th, 2009 Wire Bonding------引線鍵合技術 Wire Bonding的作用 電路連線，使晶片與封裝基板或導線框架完成電路的連線，以發揮電子訊號傳輸的功能 Wire Bonding的分類 按工藝技術： 1.球形焊接（ball bonding) 2.楔形焊接 (wedge bonding) 按焊接原理： 1.熱壓焊 300-500℃ 無超聲 高壓力 引線：Au 2.超聲焊 室溫 有超聲 低壓力 引線： Al、 Au 3.熱超聲焊 100~150℃ 有超聲 低壓力 引線：Au IC封裝中電路連接的三種方式： 倒裝焊（Flip chip bonding) 載帶自動焊（TAB---tape automated bonding) 引線鍵合（wire bonding) 1．Wire Bonding原理 Wire Bonding的四要素： Time(時間） Power(功率） Force(壓力） Temperature（溫度） 熱超聲焊的原理： 对金属丝和压焊点同时加热加超声波，接触面便产生塑性变形，并破坏了界面的氧化膜，使其活性化，通过接触面两金属之间的相互扩散而完成连接。 2．Bonding用 Wire Au WIRE 的主要特性： 具有良好的導電性，僅次於銀、銅。 电阻率（μΩ?ｃｍ）的比較 Ag（１．６）＜Cu（１．７）＜Au（２．３）＜Al（２．７） 據有較好的抗氧化性 。 據有較好的延展性，便於線材的制作。常用Au Wire直径为23μｍ，25 μｍ，30 μｍ 具有对熱压缩 Bonding最适合的硬度 具有耐樹脂 Mold的應力的機械強度 成球性好（經電火花放電能形成大小一致的金球） 高純度（4N：99.99%