- 1、本文档共10页,可阅读全部内容。
- 2、有哪些信誉好的足球投注网站(book118)网站文档一经付费(服务费),不意味着购买了该文档的版权,仅供个人/单位学习、研究之用,不得用于商业用途,未经授权,严禁复制、发行、汇编、翻译或者网络传播等,侵权必究。
- 3、本站所有内容均由合作方或网友上传,本站不对文档的完整性、权威性及其观点立场正确性做任何保证或承诺!文档内容仅供研究参考,付费前请自行鉴别。如您付费,意味着您自己接受本站规则且自行承担风险,本站不退款、不进行额外附加服务;查看《如何避免下载的几个坑》。如果您已付费下载过本站文档,您可以点击 这里二次下载。
- 4、如文档侵犯商业秘密、侵犯著作权、侵犯人身权等,请点击“版权申诉”(推荐),也可以打举报电话:400-050-0827(电话支持时间:9:00-18:30)。
查看更多
磁控溅射镀膜系统中提高平面靶材利用率的方法精品
[19 ]中华人民共和国国家知识产权局 [51] Int. Cl.
C23C 14/35 (2006. 01 )
[12 ]发明专利申请公布说明书
[21 ]申请号 200910105321. 7
[11] 公开号 CN 101586228A
[43] 公开曰 2009 年 11 月 25 日
[22] 申请日 2009.2.5
[21] 申请号 200910105321.7
[71 ]申请人田小智
地址 518000 广东省深圳市福固区八卦四路
东 1 座3 楼
[72] 发明人田小智姜翠宁黄启耀
权利要求书 1 页说明书6 页附图2 页
[54] 发明名称
磁控溅射镀膜系统中提高平面靶材利用率的
方法
[57] 摘要
本发明涉及一种磁控溅射镀膜系统中提高平面
靶材利用率的方法 1亥磁控溅射镀膜系统中提高平
面靶材利用率的方法包括如下的步骤 a. 测试磁控
溅射镀膜系统中所用的平面靶材溅射区域的宽度:
h. 根据磁控溅射用平面靶材的溅射区域的宽度设置
新靶材的宽度尺寸,该新靶材的宽度尺寸比磁控溅 41
射用的平面靶材溅射区域的宽度尺寸略大 C. 在磁
控溅射用平面靶材的非溅射区设置旧靶材。 此方法
在不影响生产工艺、产品质量,以及在不需要任何
设备改进的前提下,能够立竿见影的节省新靶材的
使用量,从而提高平面靶材的利用率。
20091010532 1. 7 权利要求书 第1/1支
1 、 耳中磁控溅射镀膜系统中提高平面靶材利用率的方法,该磁
控溅射镀膜系统中提高平00靶材利用率的主法包括如 F的步骤:
a、测试磁控溅射镀膜系统中所用的平面靶材溅射区域的宽度:
b 、根据;磁控溅射用平面靶材的溅射区域的宽度设置新靶材的宽
度尺寸, i亥新靶材的宽度尺寸比磁控溅射用的平面革E材溅射区域的
宽度尺\j- 略大:
趴在磁控溅射用于面靶材的非溅射区设置1 日靶材。
2 、根据权利要求 1 所述的种磁控溅射镀膜系统中提高平面靶
材利用率的方法,其特征在于 a 步骤中所述的磁控溅射镀膜装置中
溅射区域的宽度为磁控溅射镀摸装置中所设置的磁极位置所对应的
最小宽度O
3 、根据权利要求 1 所述的一种磁控溅射镀膜系统中提高平面靶
材利用率的方法,其特征在于: b 步囊中所述的该新靶材的宽度尺寸
略大于磁控溅射镀膜装置溅射区域的宽度尺寸柜i可O
2
说明书 第1/6支
磁控溅射镀膜系统中提高平面靶材利用率的方法
技术领域
本发明涉及→手中镀膜方法,尤指一种通过设置新靶材尺寸达到
节约效果的磁控溅射镀膜系统中提高平面瞿材利用率的方法o
背景技术
磁控溅射技术在过去的儿十年里发展快速,如今它己经成为在工
业上进行广泛的沉积覆层的重要技术c 磁控溅射技术在许多应用领域
包捂制造硬的、抗磨损的、低声享擦的、抗腐性的、装漠的以及光电学
薄膜等右面具有重要的影响。
直流磁控溅射系统的原理:异常辉光放电将充入真空室的氧气
电离,大量电子在磁场的束缚下沿着磁力线方向做螺旋线运动,不
断的撞击氢气分子,使之不断电离出大量的氢正离子和电子,氢正
离子在电场的作用下加速轰击作为阴极的靶材,溅射出大量的靶材
原子,呈中性的革E材原子(或分子)沉积在基片土形成镀膜:所电
离出的电子称为二次电子,它将继续与氢气分子碰撞,继续将其电
离。从市维持靶村的溅射。作为磁控溅
文档评论(0)