FLX2320操作手册.doc

FLX 2320 Stress Measurement System 操作手冊 開機 1. 打開FLX-2320 主機電源。（壓下Power-On鍵） 2. 打開電腦電源，系統會自行進入WIN31，請執行 Tencor FLX 群組下之 WINFLX，既可進入主操作畫面。 關機 離開主操作軟體（Measure \ Exit），跳出WIN31至DOS下，關閉電腦電源。 關閉FLX-2320電源（壓下Power-Off鍵）。 量測 Stress 值需有Wafer處理前與處理後之曲率半徑差異值來計算，故Wafer須在長膜之前先量一次，長膜之後再量一次才可得出Stress值。 於主畫面之Edit選單下，選擇Process Program，按Load可選擇欲量測Wafer尺寸的程式，後再Cancel。 打開主機門蓋，將Wafer置於Locator內,將Wafer定位於中心，請記住Wafer放的方向。 關上門蓋。 於主選單Measure下選擇First （No Film）。此為未長膜之前的量測。 輸入此量測資料欲儲存的檔名，並輸入定義給此Wafer之ID。 按Measure即開始量測，量測結束會顯示曲率半徑之圖形。再按Measure可再量測一次或按Cancel離開。 打開主機上蓋，取出Wafer。 當Wafer做完製程後，再將Wafer置於主機內，選擇主選單Measure下之Single。 輸入與之前相同之檔名或按下File選擇，輸入與之前相同之ID，輸入膜層之厚度（?）。 按Measure即開始量測，量測結束會顯示曲率半徑之圖形與Stress值。再按Measure可再量測一次或按Cancel離開。 Stress-Time 量測 當Wafer做完製程後，可做長時間性量測；選擇主選單Measure下之Time。 輸入與之前相同之檔名或按下File選擇，輸入與之前相同之ID，輸入膜層之厚度（?）。 輸入間隔量測時間（Interval）（最小30秒），與總時間（Total）。 按Measure即開始量測，量測間會顯示間隔時間記數，結束會顯示Stress之趨勢圖。再按Measure可再量測一次或按Cancel離開。 Stress-Temp 量測 Stress –Temp 量測Wafer 放置方法 打開主機門蓋，將Wafer置於Locator內,將Wafer定位於中心，請記住Wafer放的方向。 請小心取出Wafer Locator，取出時勿移動到Wafer。 將透明石英片放置Heater上。 蓋上升溫用不鏽鋼外罩，將四個旋扭鎖緊。 將N2 打開極微量，只要微量充入Chamber既可，量過大會造成Wafer震動或溫度無法有效上升。(此項為有接才使用) 將CDA 打開至 60 psi。(此項為有接才使用) 按下機台上之Heater 與Fan 開關(綠色按鈕)。 關上門蓋。 當Wafer做完製程後，可做昇溫量測；選擇主選單Measure下之Temperature。 輸入與之前相同之檔名或按下File選擇，輸入與之前相同之ID，輸入膜層之厚度（?）。 於昇溫之Recipe內可輸入每階段之昇溫或降溫條件，最高昇溫速率約為每分鐘15~20(C，最高溫度為500(C。 輸入完成後，按Measure即開始量測，量測間會顯示溫度與量測變化，結束會顯示Stress之升降溫圖。 ※注意：降溫至室溫時請將該步驟溫度設定大於室溫約10度(例40℃)，以避免等待時間過長到達室溫。 其他功能 Data Edit ＆ Review Edit 選單下選擇Data，可叫出已存檔之資料，供檢視或繪製圖形。 校正 Calibration 隨機之Certified Wafer 可供做定期檢測量測之正確性。請將Wafer A做First量測，將Wafer B做Single量測，（參照其附之Certified Data sheet）。看其量測值是否在標準值(2.5﹪之規格內，若超出規格請聯絡Scientech Service。 雷射強度與位置檢查 將一Bare Silicon Wafer至於主機Chamber內。 執行主選單Utilities 下之Diagnostics。 當顯示放入一Bare Silicon Wafer時，按OK。 畫面上會顯示650nm與750nm雷射之強度（Intensity）及位置（Diff），若雷射位置無誤，則Table Leveling 會顯示OK；否則會顯示CW或CCW令你將主機內晶片載台旁之水平調整鈕順時針或逆時針旋轉調整，調整至Table Leveling顯示OK既可。（此時Diff值應介於(0.1之間） 雷射強度Intensity 一般界於2.0 ( 3.2之間。 若調整均無法回覆正常值，請檢查Wafer是否放正放平，若仍有問題，請聯絡Scientec