数字电子技术--1.3 双极型半导体三极管.ppt

数字电子技术--1.3 双极型半导体三极管.ppt

  1. 1、本文档共32页,可阅读全部内容。
  2. 2、有哪些信誉好的足球投注网站(book118)网站文档一经付费(服务费),不意味着购买了该文档的版权,仅供个人/单位学习、研究之用,不得用于商业用途,未经授权,严禁复制、发行、汇编、翻译或者网络传播等,侵权必究。
  3. 3、本站所有内容均由合作方或网友上传,本站不对文档的完整性、权威性及其观点立场正确性做任何保证或承诺!文档内容仅供研究参考,付费前请自行鉴别。如您付费,意味着您自己接受本站规则且自行承担风险,本站不退款、不进行额外附加服务;查看《如何避免下载的几个坑》。如果您已付费下载过本站文档,您可以点击 这里二次下载
  4. 4、如文档侵犯商业秘密、侵犯著作权、侵犯人身权等,请点击“版权申诉”(推荐),也可以打举报电话:400-050-0827(电话支持时间:9:00-18:30)。
查看更多
数字电子技术--1.3 双极型半导体三极管

1.3 双极型三极管 1.3.1 三极管的结构 1.3.2 三极管电流的分配与控制 1.3.3 三极管的电流关系 1.3.4 三极管的特性曲线 1.3.5 半导体三极管的参数 1.3.6 半导体三极管的型号 1.3.1三极管的结构 双极型半导体三极管的结构示意图如图所示。 它有两种类型: NPN型和PNP型。 掺杂浓度: 发射区最大,集电区次之,基区最小。 体积: 集电区最大,发射区次之,基区最小。 基区厚度一般在几个微米至几十个微米。 1.3.2 三极管的电流分配与控制 双极型半导体三极管在工作时一定要加上适当的直流偏置电压。 若在放大工作状态:发射结加正向电压,集电结加反向电压。 发射结发射电子:从发射区正偏将有大量的电子向基区扩散,形成的电流为IEN。 从基区向发射区也有空穴的扩散运动,但其数量小,形成的电流为IEP。这是因为发射区的掺杂浓度远大于基区的掺杂浓度。 基区复合电子:形成的电流是 IBN。 集电区收集电子:因基区很薄,在集电结反偏电压的作用下,电子在基区停留的时间很短,很快被集电极所收集,形成集电极电流ICN。 另外因集电结反偏,使集电结区的少子形成漂移电流ICBO。于是可得如下电流关系式: 1.3.3三极管的电流关系 (1)三种组态 双极型三极管有三个电极,其中两个可以作为输入, 两个可以作为输出,这样必然有一个电极是公共电极。三种接法也称三种组态,见图02.03。 (2)三极管的电流放大系数 对于集电极电流IC和发射极电流IE之间的关系可以用系数来说明,定义: 1.3.4 三极管的特性曲线 iB是输入电流,vBE是输入电压,加在B、E两电极之间。 iC是输出电流,vCE是输出电压,从C、E 两电极取出。 共发射极接法的供电电路和电压-电流关系如图所示。 简单地看,输入特性曲线类似于发射结的伏安特性曲线,现讨论iB和vBE之间的函数关系。因为有集电结电压的影响,它与一个单独的PN结的伏安特性曲线不同。 为了排除vCE的影响,在讨论输入特性曲线时,应使vCE=const(常数)。 共发射极接法的输入特性曲线见图02.05。 当vCE=0V时:相当于发射结的正向特性曲线。 当vCE≥1V时: vCB= vCE - vBE0, 集电结已进入反偏状态,开始收集电子,且基区复合减少, IC / IB 增大,特性曲线将向右稍微移动一些。 vCE再增加时,曲线右移 不明显。 输入特性曲线的分区: ①死区 ②非线性区 ③线性区 图02.05 共射接法输入特性曲线 (2)输出特性曲线 iC=f(vCE)? iB=const 它是以iB为参变量的一族特性曲线。 当vCE=0 V时,因集电极无收集作用,iC=0。 当vCE稍增大时,发射结处 于正向电压,集电区收集 电子的能力与vCE 成正比, iC主要由vCE决定。 图02.06 共发射极接法输出特性曲线 当vCE增加较大时, 运动到集电结的电子 基本上都可以被集电 区收集,此后vCE再增 加,电流也没有明显 的增加,特性曲线进 入与vCE轴基本平行的 区域) 。(动画2-2) 输出特性曲线可以分为三个区域: 1.3.5 半导体三极管的参数 半导体三极管的参数分为三大类: 直流参数 交流参数 极限参数 一、直流参数 1、直流电流放大系数 (1).共发射极直流电流放大系数 ≈IC / IB 在放大区基本不变。 (2).共基极直流电流放大

文档评论(0)

f8r9t5c + 关注
实名认证
内容提供者

该用户很懒,什么也没介绍

版权声明书
用户编号:8000054077000003

1亿VIP精品文档

相关文档