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* * 8.2 只读存储器（ROM） 只读存储器，工作时其存储的内容固定不变。且只能读出，不能随时写入。工作时，将一个给定的地址码加到ROM的地址输入端，便可在它的输出端得到一个事先存入的确定数据。 ROM的分类 按存贮矩阵中器件类型 固定ROM-- PROM-- EPROM-- Flash Memary-- E2PROM-- 二极管ROM 三极管ROM MOS管ROM 按写入方式 厂家装入数据，永不改变 用户装入，只可装一次，永不改变 用户装入，紫外线擦除 用户装入，电可擦除 高集成度，大容量，低成本,使用方便 存储矩阵 三态缓冲器 地址译码器 数据输出 地址输入 一、固定ROM 固定ROM主要由地址译码器、存储单元矩阵和输出缓冲器三部分组成。 字线 容量=字线×位线 位线 存储或 矩阵 字线 位线 1、 二极管ROM—以4×4为例 存储 单元 1011 1110 0011 1100 译码与 矩阵 输出缓 冲器 任何时刻只有一根字线为高电平。 2、 三极管ROM和NMOS管ROM 有一种可编程序的 ROM ，在出厂时全部存储 “1”，用户可根据需要将某些单元改写为 “0”,但是，只能改写一次，称为 PROM。 字线 位线 熔断丝 若将熔丝烧断，该单元则变成“0”。显然，一旦烧断后不能再恢复。 二、可编程ROM（PROM） 三、可擦除可编程ROM（EPROM） 当浮栅上带有负电荷时，则衬底表面感应的是正电荷，这使得MOS管的开启电压变高，如果给控制栅加上同样的控制电压，MOS管仍处于截止状态。 SIMOS管利用浮栅是否累积有负电荷来存储二值数据。 存储单元采用N沟道叠栅管(SIMOS)。其结构如下： 写入数据前，浮栅不带电荷，要想使其带负电荷，需在漏、栅级上加足够高的电压25V即可。 若想擦除，可用紫外线或X射线，距管子2厘米处照射15-20分钟。 当浮栅上没有电荷时，给控制栅加上控制电压，MOS管导通. 与EPROM的区别是： 浮栅延长区与漏区N+之间的交叠处有一个厚度约为80A (埃)的薄绝缘层。 四、隧道MOS管 E2PROM 可用电擦除信息，以字为单位，速度高，可重复擦写1万次。 与EPROM的区别是: 1.闪速存储器存储单元MOS管的源极N+区大于漏极N+区，而SIMOS管的源极N+区和漏极N+区是对称的； 2. 浮栅到P型衬底间的氧化绝缘层比SIMOS管的更薄。 五、快闪存储器 Flash Memory （1） 用于存储固定的数据、表格 （2） 码制变换 六、 ROM的简单应用 （3） 用户程序的存贮 （4） 构成组合逻辑电路 例 1 用ROM实现十进制译码显示电路。 m0 m1 m2 m9 … … 例 2 用ROM实现逻辑函数。 2/4线译码器 A1 A0 m0m1m2m3 D0 D1 D2 D3 例3 电路如图，试画出F波形 CP ROM 二进制加法计数器 F m0m1m2m3m4m5m6m7 Q0 Q1 Q2 （3） ROM 在波形发生器中的应用 A1 A2 A0 D3 D2 D1 D0 D/A 0 1 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 2 4 8 12 9 6 3 ROM D/A 计数器 CP 计数脉冲 送示波器 3 4 ?o A1 A2 A0 D3 D2 D1 D0 D/A 0 1 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 2 4 8 12 9 6 3 t ? o 0