模拟电子技术 4.1 半导体三极管.ppt

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2018-04-29 发布于河南
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模拟电子技术 4.1 半导体三极管.ppt

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模拟电子技术 4.1 半导体三极管

4.1.1 BJT的结构简介;1.结构;2.分类;3.结构特点; 4.1.2 放大状态下BJT的工作原理;1.内部载流子的传输过程 (以NPN为例);(3)c结收集扩散过来的电子;2. BJT的三种组态;根据传输过程可知;又BJT相当于一个广义节点（KLV）;∴结论(BJT放大状态下的极间电流分配）;电压放大倍数;共射极接法;若 ?vI = 20mV ，使 ?iE = 1mA。;4.1.3 BJT的特性曲线(以共射极放大电路为例); iB=f(vBE)? vCE=常数;2.输出特性曲线;截止区 ;(3) 饱和区 ;在模拟电路中，BJT工作在放大区；（线性放大小信号）在数字电路中，BJT工作在截止区、饱和区（做数字开关）。;解：（1）A （2）C （3）C （4）B ;2、电路如图所示，晶体管导通时UBE＝0.7V，β=50。试分析uI为0V、1V、2V三种情况下T的工作状态及输出电压uO的值。;（3）当uI＝2V时，因为 ;3、分别判断图所示各电路中晶体管是否有可能工作在放大状态。 ;作业; (1) 共发射极直流电流放大系数 =（IC－ICEO）/IB≈IC / IB ? vCE=const.;1. 电流放大系数 ; 2. 极间反向电流; (2) 集电极发射极间的反向饱和电流ICEO ;(1) 集电极最大允许电流ICM; 3. 极限参数;4.1.5 温度对BJT参数及特性的影响