模拟电子技术 CH5-2.pptVIP

* 回忆JFET内容 JFET工作原理 一、vGS 对 iD 的控制作用 若vGS0→PN结正偏→破坏了vGS对漏极电流的控制作用 注意： 耗尽型 必须 vGS?0 当vDS增加到 vGD=vGS- vDS =VP 即 vDS = vGS – VP时 预夹断后， iD不再随着vDS的增加而增加。 当vGS为一定值 vp vGS ≤0 iD 随着 vDS 的增加而增加，但耗尽层呈楔型 二、vDS 对 iD 的影响 2. 转移特性 1. 输出特性 在可变电阻区仍有 在饱和区有 令 时的 饱和区 栅源短路饱和漏极电流 则 * * （1）自偏压电路（补充） VGS = - IDR 不适用于增强型MOSFET 适用于耗尽型MOSFET和JFET VDS = VDD - ID (Rd + R ) Q点 JFET放大电路的静态分析 （2）分压式自偏压电路 Q点 VDS = VDD - ID (Rd + R ) 适用于增强型MOSFET 也适用于耗尽型MOSFET和JFET 例5.3.1 分压式自偏压电路，电路参数如图。 另FET的 VP = - 1V, IDSS = 0.5mA。 求Q点。 由JFET的转移特性，有 由直流通路的输入回路，有 下式代入上式，为 ID 的二次方程 解得 ID = ( 0.95 ? 0.64 ) mA ∵IDSS = 0.5mA ∴ID = 0.31mA VGS = - 0.22V VDS = VDD - ID (Rd + R ) =8.1V 10M? 2M? 47k? 30k? 2k? 18V 饱和区验证 1. JFET小信号模型 5.3.3 JFET放大电路的小信号模型分析法 2. 动态指标分析 （1）放大电路的中频小信号模型 无源极旁路电容 2. 动态指标分析 （2）中频电压增益 （3）输入电阻 （4）输出电阻 忽略 rds ， 由输入输出回路得 则 若有源极旁路电容？ 同MOS管源极偏置电路 推导同MOS管源极偏置电路 共漏电路动态分析同MOS管共漏电路 组态对应关系： CE BJT FET CS CC CD CB CG BJT FET 电压增益： CE： CC： CB： CS： CD： CG： 反相电压放大器 电压跟随器 电流跟随器 输出电阻： BJT FET 输入电阻： CE： CC： CB： CS： CD： CG： CE： CC： CB： CS： CD： CG： 解： 画中频小信号等效电路 例题 放大电路如图所示。已知 试求电路的中频增益、输入电阻和输出电阻。 *