电子技术--数字电路部分 第七章 半导体存储器.ppt

存储矩阵的每个交叉点是一个“存储单元”，存储单元中有器件存入“1”，无器件存入“0” 掩模ROM的特点： 7.2.2 可编程ROM（PROM） 总体结构与掩模ROM一样，但存储单元不同 7.2.3 可擦除的可编程ROM（EPROM） 总体结构与掩模ROM一样，但存储单元不同 总体结构与掩模ROM一样，但存储单元不同 为提高集成度，省去T2（选通管） 改用叠栅MOS管（类似SIMOS管） * 电子技术 数字电路部分 第七章 半导体存储器 第七章 半导体存储器 §7.1 概述 §7.2 只读存储器( ROM ) §7.3 读写存储器( RAM ) §7.4 存储器容量的扩展 §7.5 用存储器实现组合 逻辑函数 存储器 RAM (Random-Access Memory) ROM (Read-Only Memory) RAM(随机存取存储器):1、 在运行状态可随时进行读或写操作。 2、 一旦掉电, 数据全部丢失。 ROM(只读存储器)：1、在正常工作状态只能读出信息。 2、断电后信息不会丢失，常用于存 放固定信息（如程序、常数等）。 固定ROM 可编程ROM PROM EPROM E2PROM SRAM (Static RAM)：静态RAM DRAM (Dynamic RAM)：动态RAM 只读存储器，工作时内容只能读出，不能随时写入，所以称为只读存储器。(Read-Only Memory) ROM的分类 按写入情况划分 固定ROM 可编程ROM PROM EPROM E2PROM 按存贮单元中器件划分 二极管ROM 三极管ROM MOS管ROM §7.2 只读存储器( ROM ) Read Only Memory 输出电路 存储矩阵 字线 位线 A1A0 A1A0 A1A0 A1A0 A1 A0 D3 D2 D1 D0 -VCC 译 码 器 K: 输出控制端 W3 W0 W2 W1 0 0 0 1 0 1 1 1 1 1 0 0 1 1 0 0 1 1 0 0 1 0 0 1 地 址 A1 A0 D3 D2 D1 D0 内 容 A1A0 A1A0 A1A0 A1A0 A1 A0 D3 D2 D1 D0 -VCC 译 码 器 K: 输出控制端 给出任意一个地址码，译码器与之对应的字线变为高电平，进而从位线上便可输出四位数字量。 字线 位线 图中存储器的内容 如右表 结合电路图及上表可以看出：接有二极管的交叉点存1，末接二极管的交叉点存0。存储单元是存1还是存0，完全取决于只读存储器的存储需要，设计和制造时已完全确定，不能改变；而且信息存入后，即使断开电源，所存信息也不会消失。所以，只读存储器又称为固定存储器。 存储内容 ROM的阵列图 接有三极管的交叉点存1，末接三极管的交叉点存0。 接有场效应管的交叉点存1，末接场效应管的交叉点存0。 两个概念： 存储器的容量：“字数 x 位数” 优点：适合大量生产，简单，便宜，非易失性 缺点：出厂时已经固定，不能更改。 一、用紫外线擦除的PROM（UVEPROM） 二、电可擦除的可编程ROM（E2PROM） 三、快闪存储器（Flash Memory） 随机存储器又称读写存储器。 读写存储器的特点是：在工作过程中，既可从存储器的任意单元读出信息，又可以把外界信息写入任意单元，因此它被称为随机存储器，简称 RAM 。 Random Access Memory . . . RAM 按功能可分为 静态、动态两类； RAM 按所用器件又可分为双极型和 MOS型两种。 §7.3 随机存储器( RAM ) D1 W3 W2 W1 W0 地 址 译 码 器 读写 及 输入/输出控制 I / O1 I / O0 CS R / W A0 A1 D1 D0 D0 存储矩阵 7.3.1 静态随机存储器（SRAM） 2、SRAM的静态存储单元 Wi D D 符号 VCC Wi D D I/O R / W 1 2 3 T2 T3 T4 T5 T6 Q Q T1 字线 数据线 数据线 介绍基本存储单元的工作原理: VCC Wi D D I/O R / W 1 2 3 T2 T3 T4 T5 T6 Q Q T1 字线 数据线 数据线 VCC T2 T1 T3 T4 由增强型 NMOS管T1、 T2、T3和T4 构成一个基本 R