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溅射镀膜技术进展0210.ppt

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溅射镀膜技术进展0210

国际溅射镀膜技术进展 皇明真空管厂太阳吸收涂层 镀膜技术进展 (2002/10) 国际溅射镀膜技术进展 直流溅射 磁控溅射 1970s 平面靶 圆柱靶 1980s 溅射制备氧化物,氮化物等陶瓷薄膜 射频(RF)溅射 直流(DC)反应溅射 脉冲电源反应溅射 (1990s中期) 中频电源反应溅射 (1990s后期) 国际溅射镀膜技术进展 磁控溅射 直流溅射 电压高 沉积速率低 磁控溅射 电压低 沉积速率高 磁场作用: 增加放电区电子寿命 增加放电区电子密度 平面靶 靶材:金属 陶瓷 半导体 圆柱靶 靶材:金属 靶材利用高 靶寿命长 沉积速率高 功率密度高(靶冷却好) 国际溅射镀膜技术进展 溅射制备氧化物,氮化物等陶瓷薄膜 射频(RF)溅射 沉积速率低 电源贵 直流(DC)反应溅射 沉速积率高(1.5倍)电源便宜 反应溅射电源 DC电源 弧光放电次数多 沉积速率低 电源便宜 脉冲电源 弧光放电次数少 电源贵 中频电源 弧光放电次数零 沉积速率高(2倍) 电源贵 最佳选择: 孪生圆柱靶磁控溅射 + 中频电源 (Twin C-Mag) 皇明集热管厂太阳吸收涂层镀膜进展 分三阶段 镀膜工艺示范 基本知识培训 (2001/7-12) 镀膜机改造 工艺改进及推广 (2002/1-8) 进一步工艺改进 提高效率 (2002/9-) 皇明真空管厂太阳吸收涂层镀膜技术进展 镀膜工艺示范 基本知识培训(2001/7) 单靶 Al-N 吸收干涉膜调试 两台单靶镀膜机 吸收率=0.96 三靶 Al-N 吸收干涉膜调试 一台三靶镀膜机 吸收率=0.94 皇明真空管厂太阳吸收涂层镀膜技术进展 镀膜机改造 工艺改进及推广(2002/1-8) 单靶Al-N膜 目标:1. α=0.94-0.96 ε=0.06-0.08 2. 提高效率 镀膜时间: 30支30分钟;40支40分钟 原工艺镀膜时间: 30支37分钟;40支50分钟 3. 改进颜色一致性 三靶SS-AlN膜 目标:1. α=0.94-0.96 ε=0.05-0.07 2. 提高效率 镀膜时间: 40支60分钟 原工艺镀膜时间: 40支80分钟 3. 改进颜色一致性 措施1 : 改进磁场结构 - 提高沉积速率 - 改进沿管长度方向均匀性 采用三条非平衡磁铁 平衡磁场 NSNS 改成非平衡磁场 NNN(SSS) 衡阳产镀膜机:将四条磁铁同磁极朝外安装 去掉两端的磁环 沈阳产镀膜机:将三条磁铁同磁极朝外安装 同一靶芯同一条磁铁和不同条磁铁的磁场 均匀度在5%以内 措施2 : 改进布气管 - 改进集热管颜色一致性 布气管采用不锈钢管,末端焊接密封。 气管上接头不能用生料带密封,改用双卡套金属接头,杜绝接头漏气。 氮气、氩气外部管路全部采用不锈钢管连接。 调试氮气布气管气孔分布,以保证涂层沿管长度方向分布均匀。漏气孔孔径φ0.6mm,总计约20个孔。调试时用铜丝堵孔。 措施3: 改进工艺 - 提高吸收率 降低发射率 由渐变膜改成吸收干涉膜 Al-N涂层薄膜结构 AlN/Al-N(L)/Al-N(H)/Al /Al-N/玻璃 原Al-N涂层渐变薄膜结构: AlN/Al-N(5 - 8层)/Al /玻璃 SS-AlN涂层薄膜结构 AlN/SS-AlN(L)/SS-AlN(H)/Cu/Al-N/玻璃 用快速测量仪调试工艺参数 皇明公司生产不绣钢-氮化铝金属陶瓷 全玻璃太阳集热管性能 皇明公司生产不绣钢-氮化铝金属陶瓷 全玻璃太阳集热管性能 皇明公司生产不绣钢-氮化铝金属陶瓷 全玻璃太阳集热管性能 单靶真空管2001年10月至2002年9月 吸收比0.92~0.96达成率图 单靶真空管2001年10月至2002年9月 吸收比 0.93~0.96 达成率图表 单靶真空管2001年10月至2002年9月 发射比 0.04~0.08 达成率图表 三靶真空管2002年12月至2002年9月 吸收比 0.94~0.96 达成率图表 三靶真空管2001年12月至2002年9月 吸收比 0.95~0.96 达成率图表 三靶真空管2002年1月至2002年9月 发射比 0.04~0.07达成率图表 不绣钢-氮化铝太阳集热管初步成果 皇明太阳能公司大量生产达到以下指标的不绣钢-氮化铝 优质高温太阳集热管已经超过90%。 太阳吸收率=0.94 - 0.96 (中国国家标准:吸收率≥0.86) 热发射率= 0.05 - 0

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