5场效管放大电路.ppt

习题 习题 P250：5.2.5 共漏极放大电路如图示，下面分析其交流指标。 （1）画中频小信号模型 4. NMOS源极跟随器 vo s VDD Cb + vi Rg1 Rg2 d g T B vs R + + - - Rs Rs Ri Rg1//Rg2 R s d g vo + - vs + - rds gmvgs vi + - + - vgs 可见，源极跟随器的Av1，接近1。 * 求Ro， d g vt + - it gmvgs Rs vgs + - Rg1//Rg2 R iR ir * * ? 结构 ? 工作原理 ? 输出特性 ? 转移特性 ? 主要参数 5.3.1 JFET的结构和工作原理 5.3.2 JFET的特性曲线及参数 5.3 结型场效应管 5.3.3 JFET放大电路的小信号模型分析法 * 1. 结构 5.3.1 JFET的结构和工作原理 在N型半导体材料两边扩散高浓度的P型区(P+) ，N沟道JFET。 * 源极(Souce)用S或s表示 N型导电沟道 漏极(Drain)用D或d表示 P型区 P型区 栅极，用G或g表示 栅极(Grid)用G或g表示 符号 符号 # 符号中的箭头方向表示什么？ 名词与符号 * ① VGS对沟道的控制作用 当VGS＜0时 （以N沟道JFET为例） 当沟道夹断时，对应的栅源电压VGS称为夹断电压VP （ 或VGS(off) ）。 对于N沟道的JFET，VP 0。 PN结反偏 耗尽层加厚 沟道变窄。 ? ? VGS继续减小，沟道继续变窄 ② VDS对沟道的控制作用 当VGS=0时， VDS? ? ID ? G、D间PN结的反向电压增加，使靠近漏极处的耗尽层加宽，沟道变窄，从上至下呈楔形分布。 当VDS增加到使VGD=VP 时，在紧靠漏极处出现预夹断。 此时VDS ? 夹断区延长 ? 沟道电阻? ? ID基本不变 ? ③ VGS和VDS同时作用时 当VP VGS0 时， 导电沟道更容易夹断， 对于同样的VDS ， ID的值比VGS=0时的值要小。 在预夹断处 VGD=VGS-VDS =VP 2. 工作原理 * * 5.1金属-氧化物-半导体场效应管 5.2 MOSFET放大电路 5.3结型场效应管 5.5 各种放大器件电路性能比较 * 上一章分析了BJT及其放大电路。本章介绍第二种类型的放大器件：场效应管(FET)。 本章先介绍MOSFET的结构、工作原理，讨论放大电路的三种组态。 FET有两种类型：金属-氧化物-半导体场效应管(MOSFET)、结型场效应管(JFET)。 引言 FET只有一种载流子导电，称为单极型器件。 BJT属于电流控制电流型器件，FET是电压控制电流型器件。 * 5.1.1 N沟道增强型MOSFET 5.1.3 P沟道MOSFET 5.1.2 N沟道耗尽型MOSFET 5.1 金属-氧化物-半导体场效应管（MOSFET） *5.1.4 沟道长度调制效应 5.1.5 MOSFET的主要参数 P199：FET的特点、种类 * 栅源短接，2个PN结，无论vDS 的极性，总有1个结反偏。 ⑴ vGS= 0，没有导电沟道 (2) vGS≥VT, 出现N型沟道 当vDS=0，栅源间加正向电压，产生的电场吸引P区的少子电子到栅极附近，形成1个N型薄层，称为反型层。即N沟道。感生沟道。 2. 工作原理 即，d、s之间没有导电沟道。 iD= 0。 在栅源电压作用下，产生感生沟道的FET称为增强型FET。 * 一旦出现沟道，如果vDS 0，将产生电流iD 。 VT ：称为开启电压。 O vDS iD A B vGS VT 截止区：vGS VT ，iD=0 。 * (3) 可变电阻区、饱和区的形成机制 随vDS? ，沟道存在电位梯度，沟道不均匀：靠近源端厚，漏端薄，沟道呈楔型 ①当 vGS VT, vDS 较小时，vDS? ? iD ?。可变电阻区。 ②当vDS继续? ，使 vGD = vGS-vDS =VT ，沟道预夹断。 iD基本不变。进入饱和区。 O vDS iD A B 可变电阻区 饱和区 * 在栅极电压作用下，漏区和源区之间形成导电沟道。 总结增强型MOS管工作原理： 预夹断 * 在漏极电压作用下，源区电子沿导电沟道行进到漏区，产生自