模电(李国立)2章习题答案.doc

2 半导体三极管 自我检测题 一．选择和填空 1. 三极管工作在放大区时，发射结为_A_，集电结为_B_，工作在饱和区时，发射结为_A_，集电结为_A_。 （A．正向偏置，B．反向偏置，C．零偏置） 2. NPN和PNP型三极管的区别取决于 D 。 （A．半导体材料硅和锗的不同，B．掺杂元素的不同，C．掺杂浓度的不同，D．P区和N区的位置不同） 3. 三极管的共射交流电流放大系数(定义为IC 变化量（或ΔIC）与IB 变化量（或ΔIB）之比，共基交流电流放大系数(定义为IC 变化量（或ΔIC）与IE 变化量（或ΔIE）之比。已知某三极管的(＝0.99，那么该管的(( 99 。 4. 三极管的ICBO是指_发射_极开路时，集电_极与 基 极间的反向饱和电流；ICEO是指基 极开路时，_集电_极与_发射__极之间的穿透电流。 5. 随着温度升高，三极管的电流放大系数(_A_，穿透电流_A_，在IB不变的情况下b-e结电压VBE_ B_。 （ A．增大，B．减小，C．不变） 6．对于同一个三极管来说， A ； B 。（A．小于， B．大于，C．等于） 7. 随着温度升高，三极管的共射正向输入特性曲线将 C ，输出特性曲线将 A ，输出特性曲线的间隔将 E 。 （A．上移， B．下移，C．左移，D．右移，E．增大，F．减小，G．不变） 8. 已知某三极管的PCM＝800mW，ICM＝500mA,，＝30V。若该管子在电路中工作电压VCE ＝10V，则工作电流IC不应超过 80 mA；若VCE＝1V，则IC不应超过 500 mA。若管子的工作电流IC＝10mA，则工作电压VCE不应超过 30 V；若IC＝200mA，则VCE不应超过 4 V。 二．判断题（正确的在括号内画√，错误的画×） 1．NPN型和PNP型三极管都有三个电极、两个PN结，正常工作时外加电压的要求相同。 （ × ） 2．三极管工作在放大状态时，集电极电流是由多子漂移形成的。 （ × ） 3．三极管具有两个PN结，因此把两个二极管反向串联起来，也能具有放大能力。（ × ） 4. 三极管的外部电流关系是，这是一个线性方程，所以三极管是线性器件。（ × ） 5．三极管工作于哪个区域与外加电压的情况有关。 （ √ ） 6．测出某三极管的共基电流放大系数小于1，表明该管子没有放大能力。 （ × ） 7．由于三极管的发射区和集电区的掺杂浓度不同，所以发射极和集电极互换后电流放大能力大大减小。 （ √ ） 8. 只要是硅三极管，无论是NPN还是PNP型，正常工作时，发射结的工作电压都为0.7V左右。 （ × ） 9. 三极管的共射电流放大系数和共基直流电流放大系数之间的关系为。 （ × ） 10．三极管的ICEO大约为ICBO的（1+(）倍。 （√ ） 习题 2.1在三极管放大电路中，测得三个三极管的各个电极的对地静态电位如图题2.1所示，试判断各三极管的类型（NPN、PNP、硅、锗），并注明电极e、b、c的位置。 图题2.1 解： （a）图为NPN型硅三极管，左起e、b、c； （b）图为PNP型硅三极管，左起 c、b、e； （c）图为PNP型锗三极管，左起 c、e、b。 2.2用直流电压表测得电路中三极管各电极的对地静态电位如图题2.2所示，试判断这些三级管分别处于什么状态。 图题2.2 解：（1）NPN管，，发射结正偏置，，集电结反偏置，放大 （2）PNP管，，发射结正偏置，，集电结反偏置，放大 （3）NPN管，，发射结反偏置，截止 （4）NPN管，，发射结电压过高，损坏 （5〕PNP管，，发射结正偏置，，集电结正偏置，饱和 2.3在某放大电路中有两只三极管。测得每个三极管的两个电极中的电流大小和方向如图题2.3（a）、（b）所示。 （1）标出另一个电极中的电流大小和方向； （2）判断管子类型（NPN、PNP），表明电极e、b、c的位置； （3）估算管子的β值。 图题2.3 解： （a）由KCL得另一电极的电流为（5-0.1）=4.9mA，流入，管子类型为NPN，①②