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平板探测器的原理及应用精选
2012-02 调制传递函数(MTF) 一种便于理解的MTF的图解方法 * 2012-02 噪声 平板探测器的噪声主要来源于两个方面: a:探测器电子学噪声 (小) b:X射线图像量子噪声 RQA5测试标准下一个大小为150μm的像素通常可以吸收1400个X光子,此时量子噪声约为37个X光子,而读出噪声则仅相当于3—5个X光子 * 2012-02 其他参数 记忆效应(memory effect) 表示图像残留的参数,通常用两个参量来表示残留因子的变化 一次曝光20S后记忆效应(Short-term memory effect 20s) 如:0.1% 一次曝光60S后记忆效应(Short-term memory effect 60s) 如:0.02% 灵敏度(Sensitivity)响应度 一定光谱范围内,单位曝光量的输出信号 X射线吸收率 X射线-可见光转换系数 填充系数 光电二极管光电转换系数 * 2012-02 其他参数 线性(Linearity) 最大的线性剂量(X-ray maximum linear dose): 表示探测器可达到线性度要求的剂量范围上限 非线性度(Non-linearity): 用百分比来表示在0-Dmax最大的线性剂量之间输出的非线性程度 微分非线性度(Linearity-differential-FT) 积分非线性度(Linearity-integral-FT) 空间非线性度(Linearity-spatial-FT) * 2012-02 其他参数 探测器图像获取时间 探测器预备时间 曝光等待时间 曝光窗口 图像读出时间 对于非晶硅探测器典型值为2.8S左右 实际一般为5~6 S * 2012-02 其他参数 温度稳定性(Stability) 额定条件下探测器的输出随温度的变化率,被称为探测器的温度系数(Detector temperature coefficient) 暗电流 无光和电输入下的输出电流。(半导体发热) 限制了器件的信号处理能力、动态范围 产生噪声和干扰 * 2012-02 非晶硒型 优点: 1、转换效率高; 2、动态范围广; 3、空间分辨率高; 4、锐利度好; 缺点: 1、对X线吸收率低,在低剂量条件下图像质量不能很好的保证,而加大X线剂量,不但加大病源射线吸收,且对X光系统要求过高。 2、硒层对温度敏感,使用条件受限,环境适应性差。 * 2012-02 碘化铯/非晶硅型 优点: 1、转换效率高; 2、动态范围广; 3、空间分辨率高; 4、在低分辨率区X线吸收率高(原子序数高); 5、环境适应性强。 缺点: 1、高剂量时DQE不如非晶硒型; 2、因有荧光转换层故存在轻微散射效应; 3、锐利度相对略低于非晶硒型。 * 2012-02 各种DR探测器的比较 类型 DQE MTF 灵敏度 记忆效应 非晶硒 低 高 低 有 碘化铯 非晶硅 高 略低 高 无 氧化钆 非晶硅 低 低 高 无 * 2012-02 谢谢! * 2012-02 平板探测器的原理及应用 2012-02 主要内容 平板探测器的概念 非晶硅平板探测器 非晶硒平板探测器 CMOS平板探测器 平板探测器的指标与评价 * 2012-02 平板探测器 通过面阵探测器,取代传统胶片等材料。 将X射线透照工件生成的图像信号转换成易于存储和处理,符合一定行业标准的数字图像。 相对于线阵探测器 提高图像的读出速度 减少X线曝光时间 线阵扫描探测器 平板探测器 * 2012-02 平板探测器的应用 * 2012-02 平板探测器的典型结构 * 2012-02 典型的平板型DR组成 X线高压发生器 产生高压(高压,灯丝,高压整流,交换闸) X线球管 产生X射线 准直器 减少散射线控制照射野 平板探测器 将X射线转换成已处理的电信号 图像后处理系统 A/D转换,图像预处理,图像重建等 * 2012-02 平板探测器的种类 直接能量转换形 非晶态硒(Amorphous Selenium,a-Se) 间接能量转换形 非晶态硅(Amorphous Selenium,a-Si+碘化铯(CsI) /硫氧化钆(gá)( GdOS/Gd2O2S) CCD * 2012-02 直接型-非晶态硒 典型结构: ①非晶硒层(a-Se) 光电导材料 ②薄膜半导体阵列 (Thin Film Transistor array,TFT) 尺寸数十厘米 * 2012-02 非晶硒型成像原理 向非晶硒层加正向偏置电压(0-5kv),即预置初始状态。 X射线照射,非晶硒层产生电子、空穴对在外加电场下产生电流,并在TFT层存储电荷。 读出TFT
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