模拟电子技术第1章 复习.ppt

二. BJT电路的分析方法（直流） 1. 模型分析法（近似估算法） VCC VBB Rb Rc 12V 6V 4KΩ 150KΩ + UBE — + UCE — IB IC +VCC +VBB Rb Rc (+12V) (+6V) 4KΩ 150KΩ + UBE — + UCE — IB IC 例：共射电路如图，已知三极管为硅管，β=40，试求电路中的直流量IB、 IC 、UBE 、UCE。 +VCC +VBB Rb Rc (+12V) (+6V) 4KΩ 150KΩ + UBE — + UCE — IB IC 0.7V βIB e c b IC +VCC Rc (+12V) 4KΩ + UBE — IB +VBB Rb (+6V) 150KΩ + UCE — 解：设三极管工作在放大状态，用放大模型代替三极管。 UBE=0.7V * * * * 第一章 半导体器件基础 1.1 半导体的基本知识 1.2 半导体二极管 1.3 半导体三极管 1.4 BJT模型 1.5 场效应管 一 、半导体二极管的V—A特性曲线 硅：0.5 V 锗： 0.1 V (1) 正向特性 导通压降 反向饱和电流 (2) 反向特性 死区 电压 击穿电压UBR 实验曲线 u E i V mA u E i V uA 锗 硅：0.7 V 锗：0.3V 温度对二极管特性的影响 90度 20度 二. 二极管的模型及近似分析计算 例： I R 10V E 1kΩ D—非线性器件 i u R—线性器件 二极管的模型 D U 串联电压源模型 U D 二极管的导通压降。硅管 0.7V；锗管 0.3V。 理想二极管模型 正偏 反偏 导通压降 二极管的V—A特性 二极管的近似分析计算 I R 10V E 1kΩ I R 10V E 1kΩ 例： 串联电压源模型 测量值 9.32mA 相对误差 理想二极管模型 R I 10V E 1kΩ 相对误差 0.7V 例：二极管构成的限幅电路如图所示，R＝1kΩ，UREF=2V，输入信号为ui。 (1)若 ui为4V的直流信号，分别采用理想二极管模型、理想二极管串联电压源模型计算电流I和输出电压uo 解：（1）采用理想模型分析。 采用理想二极管串联电压源模型分析。 （2）如果ui为幅度±4V的交流三角波，波形如图（b）所示，分别采用理想二极管模型和理想二极管串联电压源模型分析电路并画出相应的输出电压波形。 解：①采用理想二极管 模型分析。波形如图所示。 0 -4V 4V ui t 2V 2V uo t 0 2.7V uo t 0 -4V 4V ui t 2.7V ②采用理想二极管串联电压源模型分析，波形如图所示。 如下图所示，输入信号三角波信号ui幅值大于直流电源E1,E2的正弦波信号，二极管为理想器件，画出输出uo的电压波形。 0 -E2 ui t +E1 uo t + - - + E u 2 R i u O E 1 VD1 VD2 +E1 -E2 三、二极管的主要参数 (1) 最大整流电流IF (2)最高反向工作电压URM 二极管长期连续工 作时，允许通过二 极管的最大整流 电流的平均值。 (3) 反向击穿电压UBR 二极管反向电流 急剧增加时对应的反向 电压值称为反向击穿 电压UBR。 (4) 反向饱和电流IR 在室温下，在规定的反向电压下的反向电流值。硅二极管的反向电流一般在纳安(nA)级；锗二极管在微安(?A)级。 当稳压二极管工作在反向击穿状态下,工作电流IZ在Izmax和Izmin之间变化时,其两端电压近似为常数 稳定电压 四、稳压二极管 稳压二极管是应用在反向击穿区的特殊二极管 正向同二极管 反偏电压≥UZ 反向击穿 ＋ UZ － 限流电阻 稳压管的主要参数 (1) 稳定电压UZ (3) 动态电阻rZ 在规定的稳压管反向工作电流IZ下，所对应的反向工作电压。 rZ =?UZ /?I Z rZ愈小，反映稳压管的击穿特性愈陡,稳压性能越好。 (2) 稳定 电流IZ 稳压管的工作电流等于稳定电压时通过管子所需的最小电流，若IZ＜IZmin则不能稳压。 (4) 最大工作电流 IZM，最大耗散功率PZM IZM 管子允许流过最大电流; PZM 管子允许耗散的最大功率： PZM=UZ IZM (5) 稳定电压温度系数aZ : 3. 简单的稳压管稳压电路 要求： 例 * 1.3 半导体三极管 半导体三极管，也叫晶体三极管。由于工