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必威体育精装版元器件STRESS测试方法
元器件STRESS測試方法
所謂元器件STRESS是指檢查待測元件在特定的工作條件下各參數與其規格比較,還有多少余量(Derating), 元器件STRESS包括四部份: 溫度STRESS,電壓STRESS,電流STRESS,功率STRESS,下面分別進行討論.
溫度STRESS
1. 定義:
溫度STRESS=
結溫度(junction temperature, Tj)是半導體內部接合面處的溫度,但是我們所量測到的溫度都是零件表面(CASE)的溫度(Tc), 傳統的做法是通過零件規格中給出的熱阻θ進行近似的計算得出結溫度Tj:
或 或
Tj: 計算所得到的結溫度.
Ta: 零件周圍的環境溫度(零件周圍的具體位置在零件規格中有規定?)
Tc: 所測量到的零件表面的溫度.
零件引腳的溫度
環境到結點的熱阻.
零件表面到結點的熱阻
實際損耗功率
的計算方法: A. 二極體: (可從規格中查到, I是實際測量值)
注意: 整流橋之
B. MOSFET: 附錄A
2. 需檢查之零件
電阻: 大於等於2W的高壓功率電阻,熱敏電阻
晶體管: 除SMD以外之所有晶體管
二極體: 塑封二極體以及額定電流大於等於1A的其他二極體
半導體閘流管: 所有半導體閘流管
電容: 所有電解電容
IC: 所有IC
電感: 所有電感
3. 測試條件:
輸入電壓: 高壓/低壓
負載條件: 全重載(包括+5VH,+12VH,+3.3VH)和standby mode ( standby max load)
環境溫度: 25℃/50℃
4. 點溫注意事項:
遵循原則: 背風面, 靠近熱源, 緊貼所點位置.
製作點溫線接合點端不能有絞線現象, 且長度最好控制在5mm以內.
各種零件所點位置:
IC: 點在本體或引腳上(若點在引腳上需進行絕緣)
變壓器: 取掉膠布, 點在最外層線圈上
直接點在線圈上, 若能接觸到鐵芯, 最好與鐵芯及線圈同時接觸.
電容: 直接點在電容頂部或本體中點(點在中點時需將電容外皮去掉)
電阻: 電阻靠近PWB且沒有打KINK時,點在靠近PWB處之本體上,有打KINK就直接點在本體中點上.
具體如圖所示:
5. Derating
零件類型 Derating Factor 零件類型 Derating Factor 繞線電阻,功率電阻,
VR PWB-10℃ 晶閘管,
SCR, TRIACS 90% 熱敏電阻 最高溫度-30℃(若量測溫度大於PWB最高溫度時,需考量PWB之溫度) 電解電容 90% 貼片電阻 90% IC 90% 二極體 90% 電感,鐵芯 90% 晶體管 90% MOSFET 90%
電壓 STRESS
定義:
電壓STRESS=
2. 需檢查之零件
電阻: 大於等於2W的高壓功率電阻,熱敏電阻
晶體管: 除SMD以外之所有晶體管
半導體閘流管: 所有半導體閘流管
二極體: 塑封二極體以及額定電流大於等於1A的其他二極體
電容: 所有電解電容
MOSFET: 所有
3. 測試條件:
輸入電壓: 高壓
輸出負載: 重載/輕載
環境溫度: 25℃
工作狀態:穩定狀態和瞬間狀態
瞬間狀態包括以下几點:
A:重复開關机(AC ON/OFF)
B:某組輸出短路后.,再重复開關机(應對每一組輸出都分別短路,然后找出最差的狀況)
C:開机后,重复短路某一組輸出(應對每一組輸出都分別短路,然后找出最差的狀況)
4.數據測量方式:
component AC on/off O/P short then on/off AC on the O/P short Normal operation O/P short Vrms Semiconductor MAX MAX MAX MAX * CAP NA NA MAX MAX NA Resistor NA NA NA RMS RMS
總的來說,測量電壓時除了電阻是測量其電壓之RMS值以外,其它都是測量其電壓之MAX值.在測試過程中應將MIN值同時顯示出來,在MAX與MIN值中取絕對值最大的一個.
注意: 在量測瞬間狀態波形時,必須將觸發電平調到可觸發範圍內的最高點.否則,結果會相差很大.如附錄C所示.
5.各零件之電壓量測點
MOSFET: 漏極-源極
三極管: 集電極-發射極
二極管: 反向電壓或(A to K正向電壓)
注意:
測量電壓時.,示波器探棒黑色夾子必須夾地.不能夾在低電位但不是地的位置,那樣可能會引起無輸出或者大電流燒壞示波器探棒.若待測點都不是地,那必須用兩通道相減.
6.Derating
零件類別 Derating Factor 穩定狀態 瞬間狀態 電阻 90% 90%
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