离子层气相反应法（ILGAR）制备硫属半导体薄膜的研究.pdf

中文摘要 中文摘要 纳米晶太阳能电池(NPc)以其简单的工艺，低廉的成本以及可实现规模化生 产等优势成为绿色能源领域的研究热点之一。本文综述了太阳能电池及其光敏 化、吸收材料的发展，研究了NPC太阳能电池无机硫属半导体光吸收层薄膜新 型化学法的制备。 课题选择CdS，CulnS2硫属半导体材料分别作为NPC太阳能电池中缓冲 层和光吸收层，采用离子层气相反应法(ILGAR)，研究了制备条件对薄膜结构 与性能的影响，如阳离子吸附方式、溶剂种类、混合离子浓度及配比、硫化反 应温度、热处理温度、时间与气氛、薄膜生长与厚度控制、Ga掺杂等。采用 XRD、SEM、UV—Vis、XPS、HAU。系统等对薄膜晶型、微结构、化学计量、 光学和电学等性能进行了表征。 混合液为溶剂，H2s为硫源所得纳米晶薄膜表面较致密、均匀、附着性好；0．05M 阳离子浓度吸附下的平均生长速率为2．8rim／cycle；400。C热处理温度下结构为沿 (002)面择优生长的六方铅镩矿。 首次采用混合阳离子溶液吸附工艺，以C2H50H为溶剂，离子浓度比 粒径均匀、沿(1 12)面择优取向生长的黄铜矿型纳米晶CulnS2薄膜。随离子浓 度配比的变化，薄膜的光吸收系数均高于104 ev cm～，禁带宽度k在1．30～1．40 之间变化，表面电阻、载流予浓度和迁移率分别在50～10Q·cm，10“～10”cm一， 2～7cm。／V·S的范围内可调。 Ga掺杂研究结果表明，混合前驱体溶液中【Ga】／[In]低于l时，Ga取代In形 宽，电阻在103～104n／口范围内。 关键词： 硫属半导体离子层气相反应法混合离子吸附工艺结构与性能 ABSTRACT ABSTRACT In attentionhasbeen decades，considerable to past givennanocrystalline ofits and cost scale pholovoltaiccells(NPC)becausesimpleprocess，low large this ofNPCcellsandits absorberswere production．Inpaper,developments reviewed， andahovelchemical method．ILGAR deposition wasstudiedtofabricatemetal thinfilmsforNPC． chalcogenide and CdS thin bufferandabsorber CuInS2films，as layerrespectively,were fabricatedion reaction theinfluenceof by layergas method(ILGAR)，and film conditionsonthe was as preparation