清华大学物理实验报告-实验名称：压电元件导纳圆的测量.docxVIP

清 华 大 学 实 验 报 告系别：工业工程班号：工82姓名：应宁康实验日期： 2010年4月7日实验名称：压电元件导纳圆的测量[实验目的]测量压电元件的导纳，即测量阻抗，可提供该元件与所在电路之间的阻抗匹配数据；通过测量压电元件或压电换能器的导纳圆可以得到其发射效率；学习利用示波器测量交流阻抗的方法[实验原理]一、压电效应和压电元件对某些电介质晶体施加机械应力时，晶体因内部正负电荷中心发生相对位移而产生极化，导致晶体两端面上出现符号相反的束缚电荷，其电荷密度与应力成正比。这种没有电场作用，由机械应力的作用而使电介质晶体产生极化并形成晶体表面电荷的现象称为压电效应。当机械应力由压应力变成拉应力时，电荷符号也改变。与以上情况相反，将具有压电效应的电介质晶体置于电场中，电场的作用引起电介质内部正负电荷中心产生相对位移，而这一位移又导致介质晶体发生形变，晶体的这种由外加电场产生形变的现象称为逆压电效应。晶体形变的大小与外加电场强度成正比，当电场反向时，形变也改变符号。凡具有压电效应的晶体成为压电晶体。现代技术中，常用压电陶瓷制成压电元件，它具有很强的压电性能。二、压电元件的等效电路右图所示为压电元件振动时的等效电路。压电元件在静态时若忽略电损耗则可看做是一纯容电容，当压电元件振动并辐射能量时，还存在一与并联的动态阻抗，它是由于元件振动时的弹性与惯性以及振动元件周围介质对振动部分的反作用而产生的。动态阻抗可以用串联的电感、电容以及电阻来表示。其中可认为是常数。大小则和机械损耗及辐射的机械能多少有关。电路总阻抗Z=U/I，电路总导纳为：其中称为静态电纳，ω是U的角频率。为动态电导，为动态电纳。由此通过化简可得动态导纳和总导纳Y随频率变化情况如下：取横座标表示电导g，纵坐标表示电纳jb，则U的频率改变时，上式代表一个圆，称为导纳圆。如右图可以推得即。由导纳圆还可得到：三、测量电路及测量仪器测量线路如右下图。E为函数信号发生器，P为被测压电元件，R为无感电阻（一般用金属膜或碳膜电阻），取值尽量小一些。用示波器测得U，U1，及U与U1之间的相位差φ，即可求得压电元件的总阻抗或总导纳。总导纳总导纳Y的模总电导总电纳在压电元件的某一共振频率附近改变信号频率，测得若干组g、b，即可得到测量的导纳圆。由于测量时，电路中加入了采样小电阻R，于是压电元件的等效电路参量可替换为L1、C1、（R+R1）和，因此做如下修正，而C1和Om形式不变。四、补充内容：用示波器研究互感耦合电路的特性如右图所示的互感电路中，原边线圈（自感为L1，线圈电阻为R1）和副边线圈（自感为L2）之间通过互感M联系在一起组成耦合电路，副边回路的电阻为R2，它是线圈导线电阻和外接电阻之和。原、副边回路的微分方程如下：设原边电流为，为i1的峰值，i1可由测R上的电压得出。从微分方程组求u1的稳态解可得：式中从以上两式可见，副边回路对原边的影响可等效为原边电阻增加ΔR1，同时电感减少ΔL1。当R2=∞，即副边开路时，ΔR1和ΔL1均为0；当ω一定，且时，ΔR1达极大值类似可以求得时取得极大，[实验内容]熟悉函数信号发生器面板上各旋钮的功能。将信号输出直接接至示波器，用示波器观察不同频率、不同幅度、不同波形的信号。在压电元件的某一共振频率附近，缓慢改变信号频率，定性观察电压U、U1的大小及这两个电压的相位差变化情况，做简单记录。测导纳圆。在非共振频率处，U取峰峰值约10V。在共振最明显处的一共振频率附近调节频率，从小于共振频率调到大于共振频率，测量每一频率下的f，U、U1、τ，由此算出g，b，画导纳圆。从g-f图上查出F1、F2点的频率f1、f2，算出R1、L1、C1及Qm。研究副边电阻R2改变时原边等效电阻增量ΔR1的变化。可由下式求得等效电阻:由于示波器各通道的输入端“地”在机内已短接，不能同时测量非共地的，因此变为利用测得数据画出曲线，从曲线上求出等效电阻增量极大值 并和理论值比较。研究当ω一定时ΔＬ1随R2的变化关系。由以下等式画出曲线，从曲线上求出等效电感减小极大值与理论计算值比较[实验数据]测导纳圆。T=6.94 R=2.98Ωf/KHzU/VU1/Vτ/s142.977.740.2421.58143.514.640.3191.32143.813.450.3361.06143.902.880.3450.78143.952.540.3640.54144.042.280.3820.28144.082.2750.4060144.152.4150.403-0.28144.232.7300.398-0.54144.333.280.387-0.78144.524.380.362-1.08145.036.680.281-1.32作出导纳圆图见附页从g-f图上可查出，f1=