先进cmos高k栅介质的实验与理论研究-微电子学与固体电子学专业论文.docx

复旦大学博士学位论文目录第三章原子层淀积A12O3、Hro:和HfxAlyoz栅介质研究.............................……463.1 引言二，......................................................................................................……463.2原子层淀积几种高k 栅介质................................................................……473.3 实验过程和样品制备..............................................................................……483.3.1 实验设备........................................................................................……483.3.2 反应源的选择.............................................……，............................……493 .3.3A 1203和Hro:薄膜的原子层淀积...............................……，..........……50 原子层淀积A 12O3...............……，.，.......................................……50 原子层淀积Hro:................................................................……513.3.4 薄膜成分XPS 分析........................……，.......................................……513.4GaA s上原子层淀积A1203栅介质.........................................................……523.4.1热氮化Sulfurated一GaAs表面的工艺步骤..................................……533.4.2AI/A1203/GaAs(l00)M OS结构的电学表征.................................……533.4.2.IAI/A120 3/GaA s(l00)M O S 结构的C-V 特性曲线分析......……5AI/A1203/GaAsM OS结构的界面态密度分析...................……563.4.3积累电容密度上升的机理.............................................................……573.551衬底上生长的HfxAlyoz薄膜..............................................................……613.5.1 实验样品的制备...............................……，.，....................................……613.5.2 样品组分的XP S 分析..................................................................……613.5.3AI沮fAIO3.5/Si(1oo)M OS结构的电学特性分析.........................……623.5.3.IA阳fAIO35/Si(100)M OS结构的C一v特性曲线分析.......……623.6 本章结论二，.......................……，.................................................................……653.7 参考文献..................................................................................................……“第四章铅基高k栅介质中的本征点缺陷及其钝化..........................................……714.1 弓!言..........................