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新型双面冷却功率电子模块封装研究-化学工程专业论文
withthethermalcyclesincreasing.SimulationresultsbyANSYSsoftwarewereconsistentwiththeexperimentalresults.ToreducethethermalstressofIGBTchipinnanosilverpastebondeddouble-sidedIGBTassembly,silverbufferwassandwichedbetweenIGBTchipandDBCsubstrate.Finiteelementanalysis(FEA)illustratedthatnanosilverpastebondeddouble-sidedIGBTassemblywithsilverbuffershadlowerjunctiontemperatureandtheresidualthermalstressonIGBTchipwasreducedsignificantly.Temperaturecyclingexperimentsandshearingtestsconcludedthatbyaddingsilverbuffer,averageshearstrengthofdouble-sidedpackagedIGBTassemblyincreasedandthedropratedecreasedwiththethermalcyclesincreasing.Microscopicanalysisshowedthatgrowthrateaswellasthenumberofvoidsinsinteredsilverlayerwassignificantlyreducedindouble-sidedIGBTassemblywithsilverbuffers.ResultsofANSYS simulationwereinagreementwiththeSAMobservationswhichcracksinitiatedon thecornerofsinteredsilverlayerandexpandedwithincreasingofthermalcycles.Multichipdouble-sidedpackagingbynanosilverpastewasanalyzedbyANSYS software.Itwasdemonstratedthatdouble-sidedpackagedmultichipassemblyproducedlessthermalstressandexhibitedhigherreliabilityandfeasibilitybyaddingsilvertube.KEYWORDS:Nanosilverpaste,IGBT,Double-sided,Reliability,Shearstrength,Thermalstress,MCM目录第一章绪论..................................................................................................................11.1 引言.............................................................................................................11.2 芯片粘结及连接材料.................................................................................21.2.1 传统芯片连接材料及粘接方法.......................................................21.2.2 纳米银焊膏.......................................................................................31.3 功率电子器件封装结构.............................................................................51.3.1 单面冷却封装...................................................................................61.3.2 双面冷却封装...............................................
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