2012年光伏行业信用风险研究报告修改.doc

2012年光伏行业信用风险研究报告 第一部分 1 行业界定以硅材料的应用开发形成的产业，包括高纯多晶硅原材料生产、生产、太阳能电池组件生产、的制造等p-n结上，形成新的空穴-电子对，在p-n结电场的作用下，空穴由n区流向p区，电子由p区流向n区，接通电路后就形成电流。由于半导体不是电的良导体，电子在通过p-n结后如果在半导体中流动，电阻非常大，损耗也就非常大。但如果在上层全部涂上金属，阳光就不能通过，电流就不能产生，因此一般用金属网格覆盖p-n结，以增加入射光的面积。 图1 光伏发电原理 资料来源：公开资料获得 另外硅表面非常光亮，会反射掉大量的太阳光，不能被电池利用。为此给它涂上了一层反射系数非常小的保护膜（上图的Anti-reflection coating），将反射损失减小到5％甚至更小。一个电池所能提供的电流和电压毕竟有限，于是人们又将很多电池（通常是36个）并联或串联起来使用，形成有比较大输出功率的太阳能电池组（也称光伏组件）。 1.2 行业细分行业、主要产品 光伏产业链包括原料的制造，各个环节相对应的主要产品依次为太阳能级多晶硅、硅片、电池片和太阳能电池组件、逆变器和太阳跟踪控制系统等。 光伏行业的上游硅提纯具有较高的利润水平（在多晶硅价格波动不明显的条件下），其原因一方面是需要大量的技术研发人员，先进的提炼和制造设备，即资本和技术密集型产业，技术门槛很高，另一方面是因为很大部分太阳能级多晶硅的提纯核心技术不在国内（国内多数企业采用的是改良西门子法，在下文工艺技术方面会做介绍），所以导致了目前国内能有效提炼太阳能级多晶硅的企业数量较少。中上游硅片生产行业需要较为先进的铸锭炉、开方机、生长炉、切片机和相对应的检测步骤来保证其所需要的较高工艺水平，所以中上游行业需要一定的设备支持和技术门槛，竞争较为一般，利润水平尚可。中下游太阳能电池片和组件制造的工艺流程一般是将单晶硅或多晶硅片进行表面化学处理（即清洗）、扩散（制p-n结）、制作上下电级、烧结、减反射膜、焊接、层压（即从上层到下层依次排放背板、EVA胶膜、电池组、EVA胶膜、钢化玻璃）和装框等简单步骤，所以其竞争非常激烈，利润水平一直处于低位。下游太阳能光伏系统设备制造又为技术含量很高的行业，尤其是大负荷供电的正弦波世界上通用的太阳跟踪控制系统都需要根据安放点的经纬度等信息计算一年中的每一天的不同时刻太阳所在的角度，将一年中每个时刻的太阳位置存储到PLC、单片机或电脑软件中，也就是靠计算太阳位置以实现跟踪。采用的是电脑数据理论，需要地球经纬度地区的数据和设定，一旦安装，就不便移动或装拆，每次移动完就必须重新设定数据和调整各个参数、技术、设备复杂，非专业人士不能够随便操作。 图2 光伏行业的产业链及对应产品 资料来源：公开资料获得，大公国际整理 2 行业地位 　国已成为能源消费大国，30多亿吨标煤的消耗我国可再生能源发展“十二五”规划制定的目标是，2015年风电、太阳能、生物质能及核电等非化石能源开发总量达到4.8亿吨标煤。从发电约有2GW的太阳能发电项目投产，总量3GW（2011年之前我国太阳能装机规模仅为虽然面临着成本制约、体制等方面的发展瓶颈，但太阳能市场前景仍很广阔。要在西部地区、资源丰富的地区，结合特殊需要，积极开拓和太阳能相关的技术，加大推广试点项目，推动太阳能产业的发展还要推出扶持太阳能方面的相关政策。3 行业发展现状和趋势 3.1 行业运行现状 3.1.1 国内运行状况 我国光伏行业上游多晶硅提炼中主要使用的是西门子法或改良西门子法，由于未全部掌握核心技术，使转化率水平较低及排放物污染较为严重，生产成本较高，价格竞争力与国外厂商相比较弱；在2011年光伏终端需求增幅大幅放缓的情况下，上游多晶硅供大于求，直接导致整年价格均处于下跌态势，且由于国内企业由于技术问题使成本偏高，价格倒挂，为了减少亏损，第四季度已经有较多企业停产，使全年多晶硅还部分依赖于进口；同样的情况也出现在光伏行业中下游，致使整个行业处于库存偏多、产能过剩、供大于求。 2011年整年多晶硅价格处于下跌态势，第四季度由于成本原因国内多数多晶硅企业停产，致使全年我国多晶硅还部分依赖于进口。2011年太阳能多晶硅价格从1月的近70万元/吨跌至11月的20万左右/吨，下跌的主要原因为多晶硅供大于求的情况所致，2011年光伏组件装机的增幅下降（2010年增幅130%，而2011年增幅约为25%，下文将做具体介绍）导致上游多晶硅需求的下降（2011年10-12月国内多晶硅生产上基本已经停产，给予20万元-25万元/吨报价的基本都是国外厂商）。 图4 2011年1-12月中国多晶硅价格走势图（单位：万元/吨） 资料来源：中国有色金属工业协会硅业分会提供，大公国际整理 从上游多晶