AD830详细改机流程.ppt

14. 光圈光點，取晶高度 按 ”Confirm” 完成頂針預備位 Ejector Down Offset 值設定為25~30 左右 14. 光圈光點，取晶高度 點選 ”Z Level” 切換功能選項 點選 ”Pick Contact Level”開始學習取晶高度 點選”YES”自動學習 按 ”Confirm” 完成取晶高度 15.固晶高度調整 1. 在“SETUP”模式進入“Bonding Process”，在“Bond Pos” 點選“Learn Z”做固晶高度調整。 2. 正常選擇“Auto-Search”按“Yes”進入自動抓取固晶高度。 3.“Manual-Learn”為手動抓取固晶高度設定。 4.“Fast Learn”為自動抓取5顆固晶高度設定。 15.固晶高度調整 按“Yes”執行自動測高，需注意“Bond Z Contact Level” 固晶高度數值的變化。 完成後會詢問是否做自動整排固晶高度的測高，此時需按“Cancel”不執行 整排自動測高，若按“OK”則會執行整排測高，若整排內有點膠而未固晶， 那會造成吸嘴沾膠，程式執行無法停止，請注意 15.固晶高度調整 “Update Other Z Levels with same offset?”，按“OK”完成讓程式依此高度自動修正整排固晶高度，點“Close”結束固晶高度設定(不建議使用)。 正常勾選“Overwrite Other Z Levels with same Level?”此選項為以此高度當整排固晶高度依據，也就是整排固晶高度都一樣。 “Do not change other level”只修正此顆固晶高度，其餘不變。(不要使用) 16.BOND　MAP 設定 在“Bond”模式，點選“Goto Bond”直接進入 或在“Setup”模式點選“Lead Frame Data ”呼叫程式 16.BOND　MAP 設定 點選 “Bonding Map” 進入 Custom Bonding Map “V” 功能開啟 Dispensing Map 為點膠功能開關，Bonding Map 為固晶功能開關 在MAP 中點選欲點膠固晶之相對位置，點“To Auto Bonding”直接返回 或點”Back”退回一層 17.點膠位調整 在“SETUP”模式進入“Left Epoxy Process ”或“Right Epoxy Process ”，點選“Align Epx Point”做點膠位修正，按“F3”做搖桿 速度切換，再以搖桿移動十字中心修正點膠位置。 點膠位修正完成，點選“Confirm”，點“Yes”完成 18.固晶位調整 在“SETUP”模式進入“Bonding Process”，點選“Align Bond”做固位修正，按“F3”做搖桿速度切換，再以搖桿移動十字中心修正固晶位置。 固位修正確認完成後點選“Confirm”確認，再點選“Yes”更新全部 19.固晶參數調整 點選 “Force” 切換功能選項，Seach Level 為緩衝高度，BH-Z為為緩衝速度 Sub 晶片不使用，四元晶片會破晶時，Pick Searh Level?100, Speed?10 Force 　Sub 晶片使用60g，四元晶片使用40~50g 點選 “Z Llevel” 切換功能選項，Replace 為將以取起之晶片，停機時放回膠膜 ， Pick Offset Level設-20~-30， BondingOffset Level設-40~-50 20.成品確認 完成整片點膠及固晶後，需拿至顯微鏡做檢查。(依更改機種確認表做檢查) 10.固晶 PRS 設定 調整燈光使對準點黑白明顯 使用搖桿圈選左上方對準點位置後，按“Confirm”下一步 使用搖桿圈選右下方對準點位置後，按“Confirm”下一步 10.固晶 PRS 設定 辨識位置可用搖桿移動，不調整點選“Confirm”確認 搜尋範圍用搖桿調整，調整後點選“Confirm”確認 10.固晶 PRS 設定 固晶視窗是否Mark “0” 不要 “1” 要， 請選 “1” 後 按 “OK” 使用滑鼠圈選欲遮掉不辨識之位置 10.固晶 PRS 設定 點選“Confirm”確認，無出現錯誤訊息即完成 點選“Align Bond”調整固位中心 用搖桿調整十字中心至欲固晶之位置，點選“Confirm”確認 10.固晶 PRS 設定 Updata Other Bond Point 點選“Yes”更新位置 11. 晶片 PRS 設定 更換晶環/置放晶環 點選”F10 W Tabl”功能鍵 11. 晶片 PRS 設定 點選”Change Wafer