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AIGaN GaN异质结场效应晶体管特性研究
The Characteristic research of AlGaN/GaN Heterostructure Field Effect Transistors
专业:光学工程
蒋亚兰 6121203004
GaN材料的性质
宽的直接带隙、强的原子键、高的热导率、化学稳定性好
高的击穿电场、高的电子饱和迁移率
三角形量子阱
增强了对 2DEG
的限制效应,增
加最大 2DEG
浓度
高2DEG 浓度可改善
电学性质,包括提高
2DEG 迁移率和有效
降低异质结构方块
电阻。
Typical AIGaN/GaN heterostructures
AIGaN/GaN HFET的工作机理
AIGaN/GaN异质结构中ZDEG沟道的形成
Various space charge components in an AIGaN/GaN heterostructure·
AIGaN/GaN HFET的基本工作机理
异质结构材料与器件的测试
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