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碳化硅模块110910_SiCModule_E
Introduction of SiC Power Module
Confidential c 2011 ROHM Co.,Ltd. All Rights Reserved
Full SiC Power Module
W:122mm Specification
D:45.6mm Half-bridge Inverter
H:21.1mm
(SiC-DMOS, SiC-SBD)
(DS)
Breakdown Voltage: 1200V
DC rating Current: 100A
Circuit Diagram
1200V 100A Note
Module ○ DS: Oct 2011
IPM ○ 2012
Confidential c 2011 ROHM Co.,Ltd. All Rights Reserved
On-State Resistance
On-state resistance can be tremendously decreased by replacing IGBT with SiC
MOSFET with the same die size – Ron at lower current is improved even more
Comparison of Vds – Id （at T=25˚C） Comparison of Vds – Id （at T=150˚C）
SiC Trench MOS SiC-DMOS SiC Trench MOS SiC-DMOS
200 200
Si IGBT
） 150 ） 150
A A
（ （
SiC MOSFET
decreased by 59％ decreased by 59％
) ) 59％減
流 流
A A
( (
電 100 25℃ 電 100 125℃
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