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第一章 概論 1. 色碼電阻的電阻值判斷：□ □ □ □ 或 □ □ □ □ □ 十位 個位 次方 誤差 百位 十位 個位 次方 誤差 黑 棕 紅 橙 黃 綠 藍 紫 灰 白 金 銀 金 銀 無色 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 -1 -2 5% 10% 20% 【例】【84.2.2】【86.1.6】 2. 陶瓷電容的電容值判斷：□ □ □ □ 十位 個位 次方 誤差 （誤差值▼） B C D F G J K M N 0.1% 0.25% 0.5% 1% 2% 5% 10% 20% 30% 【例】【87.2.35】 3. 電容：，低頻時，表現高阻抗、斷路特性；高頻時，表現低阻抗、短路特性。電感：，低頻時，表現低阻抗、短路特性；高頻時，表現高阻抗、斷路特性。 【例】【86.2.24】【87.2.30】【89.1.37】 第二章 波形與調變 1. 正弦波的平均值和有效值： 正弦波的瞬間值表示式v=Vmsinωt，式中Vm為最大值、ω為角速率。 有效值 全波平均值Vav=0；半波平均值Vav= 【例】【87.1.21】【86.1.26】 2. 方波的平均值和有效值： 方波的平均值V= 方波的有效值V= 【例】P2-4（4） 3. 三角波的平均值和有效值： 三角波的平均值V= 三角波的有效值V= 【例】P2-5（6） 4. 脈波的工作週期＝ 【例】P2-5（5） 5. 調幅波（AM）：載波信號的波幅隨著聲音信號的波幅而變化，調幅百分比＝ 6. 調頻波（FM）：載波信號的頻率隨著聲音信號的波幅而變化，調變百分比＝ 【例】P2-6（8） 第三章 二極體與控制元件 1. 半導體的特性：由本質半導體（4價的矽或鍺）滲雜5價元素形成N型半導體，多數載子為電子；由本質半導體（4價的矽或鍺）滲雜3價元素形成P型半導體，多數載子為電洞。 【例】【86.1.20】【86.1.21】 2. 霍爾效應：將半導體置於磁場中，並通以電流，如右圖所示，半導體內的電流載子（電子或電洞）將受到一向下的作用力。若電流載子為電子，則a面聚集的載子即為帶負電的電子，感應電勢Eab＝負值，可推斷其為N型半導體；若電流載子為電洞，則a面聚集的載子即為帶正電的電洞，感應電勢Eab＝正值，可推斷其為P型半導體。 【例】【88.2.18】；P3-5（3+1）； 3. 二極體： （1）PN接面形成空乏區，且造成一障蔽電位（矽質0.6~0.7V，鍺質0.2~0.3V） （2）加順向偏壓，即P接正電，N接負電，二極體導通；加逆向偏壓，即P接負電，N接正電，二極體截止。 （3）二極體的VI特性曲線： 【例】【87.1.22】【85保.1.1】【84保.1.3】；P3-6（5） 【P3-6（5）】理想二極體的特性曲線為 4. 齊納二極體（Zener Diode）：加順向偏壓，二極體導通；加逆向偏壓，二極體本來截止，但電壓大到崩潰值時，變成導通狀態。 【例】【87.2.20】；P3-10（11）；P3-11（12）；P3-12（13）；P3-13（14） 【P3-10（11）】齊納二極體（Zener Diode）用於穩壓電路時，其工作區域為 崩潰區 。 【P3-11（12）】右圖電路，若齊納二極體的崩潰電壓為20伏特，則RL兩端的電壓為 18 伏特。 【P3-12（13）】右圖電路，若齊納二極體的崩潰電壓為10伏特，則IZ為 5 mV。 【P3-13（14）】右圖電路，齊納二極體的功率為 1 毫瓦。 5. 發光二極體（LED）、七段顯示器：加順向偏壓，二極體會發光。七段顯示器是將七段LED組成『8』字型，有共陽極與共陰極兩種。 【例】【86.2.25】；P3-16（18）； 6. 光敏電阻電阻值因受光強弱而改變。光越強，電阻值越小；光越弱，電阻值越大。 【例】【89.1.40】 7. 熱敏電阻有熱阻器（Thermistor）和敏阻器（Sensistor）兩類。熱阻器（Thermistor）為負溫度係數，即溫度越高，電阻值越小；敏阻器（Sensistor）為正溫度係數，即溫度越高，電阻值越大。 【例】P3-21（26） 8. 西貝克效應（Seebeck effect）：將兩種不同的金屬鎔接成一閉合迴路，若鎔接的兩端溫度不同，此閉合迴路將有電流產生，如下圖所示。熱電偶便是根據西貝克效應製成。 【例】P3-22（28） 第四章 電源電路 1. 整流電路： 半波整流 全波整流 最大值 Vm Vm 二極體數目 1 中間抽頭式：2 橋式：4 平均值Vdc =0