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目录 PD应用 原理简介 产品结构 产品参数 工艺流程 PN结介绍 PD应用 原理介绍 PD主要是利用PN结的光电效应制成 用于Oplink里面主要的PD类别是 InGaAs PIN (波长范围1000~1700nm) Si PIN(500~1000nm) 主要性能 响应度：Res=I/power(In) Res(响应度) I(响应电流) Power(In) (进光功率) 响应速度 量子效率：光电转换产生的有效的电子-空穴对/入射的光子数 暗电流与击穿电压 暗电流： 无光照时，反向偏压下的电流。主要由于PN结内热效应产生的电子-空穴对形成，暗电流随温度的增加而增加。器件表面由于物理特性不完善存在漏电流。 击穿电压： 当反向电压增大到一定值时，暗电流激增，发生反向击穿，此时的电压为反向击穿电压。 两种击穿机构：雪崩击穿、隧道击穿 产品结构 产品参数 工艺流程 PN结介绍 PIN介绍 * Oplink Communications Proprietary and Confidential DISTRIBUTION PROHIBITED WITHOUT OPLINK’S WRITTEN CONSENT PD产品介绍 .DWDM 监控功率、 .光开关保护网路切换的监控、 .Re-configurable optical add/drop multiplexers （ OADM）、 .Gain/attenuation monitoring in amplifier systems、 .EDFAs 和Raman。 光信号转换为电信号 P型半导体：带正电荷的空穴和带负电荷的电离杂质。 N型半导体：带可移动的负电子和固定的正离子。 PN结的具有单向导电性。 在一块本征半导体在两侧通过扩散不同的杂质,分别形成N型半导体和P型半导体。此时将在N型半导体和P型半导体的结合面上形成如下物理过程: 因浓度差 空间电荷区形成内电场 ? 内电场促使少子漂移 ? 内电场阻止多子扩散 最后,多子的扩散和少子的漂移达到动态平衡。 对于P型半导体和N型半导体结合面，离子薄层形成的空间电荷区称为PN结。 在空间电荷区，由于缺少多子，所以也称耗尽层。 多子的扩散运动? 由杂质离子形成空间电荷区 ? P、N区材料为：InP （对1.3um~1.6um的光透明） I区材料为：InGaAs（对1.3um~1.6um的光较强的吸收） * Oplink Communications Proprietary and Confidential DISTRIBUTION PROHIBITED WITHOUT OPLINK’S WRITTEN CONSENT