磁存储器之纳米相微晶玻璃基片研究.pdf

维普资讯 346 助 财 斟 2004年第3期(35)卷 磁存储器之纳米相微晶玻璃基片研究 王 华，张建成，顾 峰，沈 悦，姜盛瑜，刘健敏 (上海大学 材料科学与工程学院，上海 201800) 摘 要： 利用差热分析 (DTA)探讨 了不同成核剂含量 (ZrO， 了以p一石英相、二硅酸锂 (：Si：O)为主晶相的纳米相微晶玻 +P：O)对p一石英相纳米微晶玻璃制备的影响，采用x射线衍 璃，具有良好的力学性能，是用作磁存储器基片的较佳材料。 射(XRD)、扫描电镜 (SEM)、透射 电镜(TEM)等分析 了热处理 制度控制对获得纳米相微晶玻璃的影响。结果表明：4％ (质量 2 实验与测试 分数)ZrO：+2％(质量分数)P：O 的复合成核剂含量能促进 p一 2．1 微晶玻璃的制备 石英相和二硅酸锂的形成 ，阻止 了向B一锂霞石的转变，在一定 根据 目标微晶玻璃的性能要求和工艺条件，结合相图本文选 工艺条件下核化、晶化，可制备出粒径约为35nm、均匀分布的纳 取以p一石英相、二硅酸锂 (“：Si：O)为主晶相的基础玻璃进行实 米相微晶玻璃，其抗弯强度达247MPa，抗压强度达414MPa，维 验，成分按质量分数(％)为：70％～77％SiO2、7％～10％Li20、4％ 氏硬度达659MPa，可用作高性能磁存储器基片。 ～ 8％A1：0 以及适量的助熔剂和澄清剂等 ，并且在基础玻璃 GC一 关键词： 微晶玻璃 ：纳米相；成核剂 ；3-石英相 ：磁存储器 4中加入不同的ZrO：和 P20 含量获得5种试样如表 1。 中图分类号 ： 0171 文献标识码：A 表 1 不同试样的晶核剂含量 文章编号 ：1001—9731(2004)03-0346-03 Table1Nucleating—agentcontentofdifferentsamples 1 引 言 试样号 ZrO2(质量分数，％) P205(质量分数 ，％) 为适应信息技术和计算机技术高度发展的需求，磁存储器 CC一1 O．O O，O CC_2 O．O 2．O 也朝着容量更大、速度更快、体积更小和安全性更高的方向发 CC_3 2．O 2，O 展 。而基体材料作为磁存储器系统承载体 ，其性能好坏将直 CC4 4．O 1．8 接影响着磁存储器的性能，因此，研制高性能的基片是提高存储 CC-5 6，O O，O 能力的一个重要方面。 按上述配比称量好研磨后 ，置于炉中在 1550～1600~C下熔 理想的基片应具有与记录材料相匹配的良好的物理性能， 制2h，再经成型退火后可得到各种母体玻璃编号为GC一1～GC一 以及足够的表面光洁度和平整度 。目前广泛使用的基片材 5。采用二步法对上述玻璃进行晶化热处理。 料铝镁合金5086(95．4％A1，4％Mg，0．4％Mn，0．15％Cr)，但是 2．2 样品的仪器分析测试 退火的铝