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分子束外延生长（MBE）
MBE技术是在超高真空条件下，用其组元的分
子（或原子）束喷射到衬底上生长外延薄层
的技术。
现代MBE生长系统的背景真空度可达
1.33×10-10Pa，分子束与分子束以及分子束
与背景分子之间不发生碰撞。
MBE技术的关键
III,V族元素分别加热到温度T ,T 形成的束
i j
引入到温度为Ts的衬底上生长薄膜，要仔细
选择Ts，使多余的V族元
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