2.半导体三极管放大电路题.docVIP

半导体三极管及其放大电路 一、选择题 1.晶体管能够放大的外部条件是_________ a 发射结正偏，集电结正偏 b 发射结反偏，集电结反偏 c 发射结正偏，集电结反偏 2.当晶体管工作于饱和状态时，其_________ a 发射结正偏，集电结正偏 b 发射结反偏，集电结反偏 c 发射结正偏，集电结反偏 3.对于硅晶体管来说其死区电压约为_________ a 0.1V b 0.5V c 0.7V 4.锗晶体管的导通压降约|UBE|为_________ a 0.1V b 0.3V c 0.5V 5. 测得晶体管三个电极的静态电流分别为 0.06mA,3.66mA 和 3.6mA 。则该管的β为_____ a 40 b 50 c 60 6.反向饱和电流越小，晶体管的稳定性能_________ a 越好 b 越差 c 无变化 7.与锗晶体管相比，硅晶体管的温度稳定性能_________ a 高 b 低 c 一样 8.温度升高，晶体管的电流放大系数 ________ a 增大 b 减小 c 不变 9.温度升高，晶体管的管压降|UBE|_________ a 升高 b 降低 c 不变 10.对 PNP 型晶体管来说，当其工作于放大状态时，_________ 极的电位最低。 a 发射极 b 基极 c 集电极 11.温度升高，晶体管输入特性曲线_________ a 右移 b 左移 c 不变 12.温度升高，晶体管输出特性曲线_________ a 上移 b 下移 c 不变 12.温度升高，晶体管输出特性曲线间隔_________ a 不变 b 减小 c 增大 12.晶体管共射极电流放大系数β与集电极电流Ic的关系是_________ a 两者无关 b 有关 c 无法判断 15. 当晶体管的集电极电流IcmIc时，下列说法正确的是________ a 晶体管一定被烧毁 b 晶体管的PC=PCM c 晶体管的β一定减小 16.对于电压放大器来说， 越小，电路的带负载能力越强________ a 输入电阻 b 输出 c 电压放大倍数 17.测得晶体管三个电极对地的电压分别为 -2V 、 -8V 、 -2.2V ，则该管为 _________ a NPN 型锗管 b PNP 型锗管 c PNP 型硅管 18.测得晶体管三个电极对地的电压分别为 2V 、 6V 、 -2.2V ，则该管 _________ a 处于饱和状态 b 放大状态 c 截止状态 d 已损坏 19在单级共射放大电路中 ， 若输入电压为正弦波形，则输出与输入电压的相位_________ a 同相 b 反相 c 相差 90 度 20在单级共射放大电路中 ， 若输入电压为正弦波形，而输出波形则出现了底部被削平的现象，这种失真是_________ 失真 a 饱和 b 截止 c 饱和和截止 21.引起上题 放大电路输出波形失真的主要原因是______ a 输入电阻太小 b 静态工作点偏低 c 静态工作点偏高 23.利用微变等效电路可以计算晶体管放大电路的_______ a 输出功率 b 静态工作点 c 交流参数 25. 既能放大电压，也能放大电流的是 _________ 放大电路。 a 共射极 b 共集电极 c 共基极 26.引起放大电路静态工作不稳定的主要因素是 _______ a 晶体管的电流放大系数太大 b 电源电压太高 c 晶体管参数随环境温度的变化而变化 27. 在放大电路中，直流负反馈可以 ________ a 提高晶体管电流放大倍数的稳定性 b 提高放大电路的放大倍数 c 稳定电路的静态工作点 28. 可以放大电压，但不能放大电流的是 _________ 放大电路。 a 共射极 b 共集电极 c 共基极 29. 射极输出器无放大 _________ 的能力。 a 电压 b 电流 c 功率 30. 在共射、共集和共基三种基本放大电路中，输出电阻最小的是 _______ 放大电路。 a 共射极 b 共集电极 c 共基极 31. 与空载相比， 接上负载后，放大电路的动态范围一定_______ a 不变 b 变大 c 变小 32.某放大电路在负载开路时的输出电压为4V，接入3kΩ的负载后输出电压降为3V，则此电路的输出电阻为_______ a 0.5kW b 1kW c 2kW 35. 在多级放大电路中，即能放大直流信号，又能放大交流信号的是 _______ 多级放大电路。 a 阻容耦合 b 变压器耦合 c 直接