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wddq180400-618~40ghz六位数字延迟器芯片
WDDQ180400-6
18~40GHz 六位数字延迟器芯片
关键技术指标及应用
工艺类型：0.15um 控制PHEMT
频率范围：18-40GHz
延迟精度：标称值8%
插入损耗：-26dB
输入输出电压驻波比：1.4
工作电压：0/-5V
外形尺寸：4.9mm ×1.7mm×0.1mm
产品简介：
WDDQ180400-6 型芯片是一款性能优良的六位带TTL 驱动功能数字延迟器(MMIC)，使用0.15um 栅长的砷化镓
赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT)工艺制造而成。该芯片通过背面金属经通孔接地。所有芯片产品全部经100%射频
测量。(芯片基本性能描述)：WDDQ180400-6 型芯片为0/5V，-5V 电源工作，可在18-40GHz 内提供小于标称值8%
的延迟精度，插入损耗小于32dB，输入输出电压驻波比小于1.5。该芯片主要用于雷达，电子战等。
1
允许绝对最大值 （TA ＝25℃）
符号 参数 数值
Vd 控制电压 0.5V/-7V
输入信号功率（连续波）
Pin 25dBm
Tch 沟道工作温 150℃ 1
Tm 烧结温 300℃ 1min，N 保护
2
Tstg 存储温 -55～150℃
【1】 超过以上任何一项最大限额都有可能造成永久损坏。
WDDQ180400-6
18~40GHz 六位数字延迟器芯片
电特性参数（TA=25℃）
数值
符号 参数 测试条件 单位
最小值 典型值 最大值
Li 插入损耗 - 26 dB
1ps 态相位非线性 1 °
2ps 态相位非线性 2 °
相位非线 4ps 态相位非线性 - 3 °
性 8ps 态相位非线性 4 °
16ps 态相位非线性 6 °
32ps 态相位非线性 V1 ，2……：0V/5V 8 °
1ps F：18-40GHz 0.1 ps
2ps （中心频点：29G ） 0
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