例题分析2_2_FET.ppt

Chapter4 例题分析 Chapter 2 例1 例2 例3 * 试从下述几方面比较FET和BJT的异同。 1、FET的导电机理为_____，而BJT为______。比较两者受温度影响，_____优于_____。 2、FET属于_____式器件，其G、S间的阻抗要____BJT的B、E间的阻抗，后者属于____器件。 3、BJT3种工作区域是_____，而FET则将其分为_____3种。 4、FET3个电极G、D、S类同BJT的_____电极，而N沟道、P沟道的FET则分别类同于_____两种类型的BJT。 1、一种载流子(多子)参与导电，两种载流子（电子和空穴）参与导电。FET（前者）BJT（后者）。 2、压控，远大于，流控 3、饱和、放大、截止，可变电阻、恒流、截止。 4、B、C、E，NPN型、PNP型。 试问下图各是哪一种FET的转移特性曲线。 uGS Up IDSS iD 0 （a） UT iD uGS 0 （b） （a）N沟道耗尽型MOSFET （b）N沟道增强型MOSFET UP IDSS iD uGS 0 （c） UT iD uGS 0 （d） （c）P沟道JFET （d）P沟道增强型MOSFET 分析： 1） N沟道FET的iD0， P沟道FET的iD0，故可根据iD的方向判断N或P沟道型FET。 2）耗尽型FET的标志参数为UGS（off）（UP）， 增强型FET的标志参数为UGS（th）（UT）。 3）同是耗尽型的JFET、MOSFET，区别为MOSFET的uGS可正可负，而JFET的uGS只可单方向，或正或负。 uGS Up IDSS iD 0 （a） UT iD uGS 0 （b） UP IDSS iD uGS 0 （c） UT iD uGS 0 （d） 电路如图。 已知： IDSS= 1mA， UP=－4V， VDD=+16V， 试求： 1、静态工作点Q（IDQ、UGSQ、UDSQ） 2、输入电阻ri、输出电阻ro 3、电压放大倍数Au 解 1、静态工作点Q的计算 UDSQ=VDD－IDQ（R+Rd） IDQ1=0.535mA ， IDQ2=1.52mA = 6.37V IDQ2IDSS 不合题意，舍去