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Bi2S3纳米材料的制备及性能研讨
摘要
摘要
近年来,半导体纳米材料由于其独特的物理性质及其在光电领域的重要应
用而被广泛关注。硫化铋(Bi2S3)是一种层状结构的高度各向异性的半导体材
料,它的直接带隙能为1.3eV,具有良好的光学和热电性质而被应用到热电冷
却和光电转换器件中。纳米Bi2S3材料不仅能引起吸收波长和荧光发射峰发生蓝
移,还能产生非线性光学响应,并能增强纳米粒子的氧化、还原能力。纳米BiES3
及其组装体系具有优异的光电和催化性能,在发光材料、非线性光学材料、光
催化材料等方面有着广泛的应用前景。纳米材料的性质与其颗粒的尺寸、形貌
有着密切的关系,人们越来越关注各种材料的纳米尺度特殊形貌和纳米结构,
希望能了解结构与性能的关系,半导体纳米材料的形貌可控合成是纳米材料制
备领域的研究重点。
本文采用水热法,以五水合硝酸铋(Bi(N03)3-5H20)为铋源,不同的硫源
剂,系统地研究了各种反应条件对管状、棒状、花状等不同形貌的纳米Bi2S3
形成的影响,对不同形貌的纳米Bi2S3的形成过程、机理及其光学性能进行了研
究。论文的具体内容主要有以下几个部分:
和Na2S·9H20为原料,在不同的多元醇溶剂中成功制得备了管状的纳米Bi2S3。
实验发现、反应物的比例、溶剂种类、表面活性剂、温度和时间等因素对Bi2S3
纳米晶的形貌有影响。通过对丙三醇.水的混合溶剂中不同反应时间制备的Bi2S3
样品的分析,发现Bi2S3纳米管的形成可能是固体.溶液.固体转化过程,在上述
反应体系中,形成的NaBiS2前驱物在水热条件下的分解、结晶是Bi2S3纳米管
形成的关键。对Bi2S3纳米管的光学性能也进行了研究,紫外一可见一近红外吸收
时,Bi2S3纳米管在778nm处有一个较强的荧光发射峰。
铋源,硫代乙酰胺(CH3CSNH2)为硫源在不同的溶剂中合成了较小尺寸的Bi2S3
纳米棒。样品的形貌和尺寸受到S与Bi的比例、溶剂种类、表面活性剂、温度
和时间等因素影响。通过控制不同的条件可得到形貌均一纳米棒,并对小尺寸
l
摘要
Bi2S3纳米棒的生长过程及光学性能进行了初步讨论,发现在水热反应过程中
Bi2S3晶核沿着C轴优先生长,最终形成了一维的纳米棒的单晶结构。
源,在不同的溶剂中合成了由纳米棒组成的海胆状Bi2S3。形貌和尺寸受到S与
Bi的比例、溶剂、反应温度和反应时间等因素的影响,通过控制不同的条件可
以得到形貌均一的Bi2S3,对海胆状Bi2S3纳米材料的光学性能及生长过程进行
了初步讨论,并针对这种形貌提出了自组装原理。
化剂在不同的溶剂中合成了均一的硫化铋纳米花。Bi2S3的形貌和尺寸受到S、
Bi的比例、溶剂种类、反应温度、反应时间等因素影响。通过控制不同的条件
可得到形貌均一的Bi2S3纳米花。提出Bi2S3纳米花的生长过程可能是一个固体
一溶液一固体转化与自组装的过程,并对及其光学性能进行了研究。
实验结果表明,通过水热法可以制备出形貌均一、尺寸均匀的管状、棒状、
海胆状Bi2S3纳米结构。反应物配比、溶剂种类、表面活性剂、温度、时间等因
素对Bi2S3纳米结构的形成具有重要的影响,通过调整水热合成反应条件,可控
制目标产物Bi2S3的形貌。这些对Bi2S3纳米材料的可控合成研究具有一定的意
义。光学性质研究发现Bi2S3纳米材料对900rim以下的红外光有较强的吸收,
并在红光范围内有一个较强的荧光发射峰。Bi2S3纳米材料可能在太阳能光伏材
料和近红外荧光材料方面有较好的应用前景。
关键词:水热法;硫化铋;纳米材料;晶体生长
II
Abstract
Inrecent nanomaterialshavedrawnmuch
years,semiconductor attention
owing
totheir inthewide of andelectronic
uniquephysicalproperti
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