Pt簇—石墨烯复合体的界面相互作用及电子布局.pdf

中文摘要 中文摘要 本文采用密度泛函方法对Pt簇和理想石墨烯、单空位缺陷石墨烯、双空位缺 陷石墨烯及其复合体的稳定性、电子结构及界面相互作用进行了理论研究。 缺陷石墨烯的稳定性低于理想石墨烯，但与Pt簇等金属簇结合更稳定，在作 为基底时可以抑制纳米金属簇的团聚，延长其使用寿命。在常见的两种石墨烯点 缺陷中，双空位缺陷的稳定性要明显优于单空位缺陷，生成能更低且难以迁移。 功函和电子透射谱的计算结果表明，当Pt簇嵌入缺陷石墨烯后，因缺陷存在 而损失的场发射性能和电子输运性能可以得到部分修复。 根据02．Pt簇．石墨烯体系的计算结果，Pt簇／石墨烯复合体可以比纯Pt簇更牢 固的吸附02分子。过渡态计算的结果则表明，Pt簇／石墨烯复合体可以有效地催化 02分子的解离反应。 关键词： 石墨烯；密度泛函；缺陷；铂；电子结构 Abstract Abstract Inthis researchedabout struccureandinteffac融积erac如n article，we stabm娘electronic ofPt def-ect def．ect clusterpuregralphene，single—Vacancy graphene，double—vacancies andtheir meansofthe graphene complexby densi妙mnctionaltheoU withdefectislessstabletllen Graphene combineswith puregraphene．HoweV瓯it Ptclusters orothermetalclustersmore me caJlbe when stablely．Assubstrate，itsuppressed nano metalclusters witllSV defectismore ag黟egate．Comparedefect，DV has stable_一it lowerfoHnationand moredimcult ene唱y migration． Thework functionand electronic仃aIlsmission resultsindicatedthatt11elDssof anaIysis 丘eId emiSSion and perfo肋anceelec打onic仃ansmiSSioncouldbe perfomaJlce whenPt compensated clusters访sertintothe defect． The calculationr