led光通量测量 ppt 含有图片.pptVIP

实验原理 1、光辐射强度测量有关术语 （1）光通量Φ 辐射光功率能够被人眼视觉系统所感受到那部分有效当量 （2）照度E 表面上一点的照度是指入射在包含该面元上的光通量d与该面元面积dS之商，即E=dcosθ/dS （3）发光强度I 光源在某一给定方向的单位立体角内发射的光通量，称为光源在该方向的发光强度。 （4）亮度L 光源发光面上某点的亮度L等于垂直于给定方向的平面上所得到的发光强度与该正投影的面积之商，即光通量对发光面表面之比。L=dI /dScosθ 2、测量原理 将光通量标准灯与待测灯相比较而得到待测灯的光通量。 积分球照度由E= Φρ/4πR（1-ρ）=KΦ表示。设光通 量标准灯的光通量是Φs，测量时先将标准灯放在积分球 中心，通电后测量窗口测得照度Es= Φsρ/4πR（1-ρ） 用待测灯替换标准灯并测量照度Ec，比较两式得 Φc=EcΦs/Es 实验数据记录 光通量 电流 电压 功率 光效 0.6 0.006 1.912 0.01147 52.3104 0.7 0.008 1.931 0.01545 45.3074 0.8 0.010 1.950 0.01950 41.0256 0.9 0.013 1.967 0.02557 35.1975 1.0 0.015 1.976 0.02964 33.7382 1.1 0.017 1.986 0.03376 32.5829 1.2 0.019 1.995 0.03791 31.6539 1.3 0.020 2.006 0.04012 32.4028 1.4 0.024 2.021 0.04850 28.8660 1.5 0.028 2.036 0.05701 26.3112 光通量 电流 电压 功率 光效 0.9 0.001 2.884 0.00288 312.5 1.0 0.001 2.907 0.00291 343.643 1.1 0.002 2.931 0.00586 187.713 1.2 0.003 2.954 0.00886 135.440 1.3 0.004 2.982 0.01193 108.969 1.4 0.005 2.997 0.01499 93.396 1.5 0.006 3.018 0.01811 82.827 2.1 0.013 3.110 0.04043 51.942 2.5 0.017 3.211 0.05459 45.796 3.0 0.024 3.311 0.07946 37.755 光通量 电流 电压 功率 光效 0.4 0.004 3.012 0.0121 33.195 0.6 0.011 3.110 0.0342 17.539 0.8 0.020 3.211 0.0642 12.457 1.0 0.030 3.311 0.0993 10.067 1.2 0.041 3.411 0.1399 8.581 1.3 0.055 3.510 0.1931 6.734 1.6 0.069 3.610 0.2491 6.423 1.8 0.084 3.710 0.3116 5.776 2.1 0.098 3.811 0.3748 5.603 红灯 数据处理 红灯 实验结论 根据前面的数据记录可知： 1、LED灯的发光效率随着电压电流的增加会变的 越来越小 2、LED的发光功率随着电压电流的增加而增加 影响LED发光效率的因素： LED的发光效率其实分为两大块：内量子效率和外量子效率，对于内量子效率通俗讲也就是电子跃迁产生光子的效率。 提高其效率的方法： 1.降低非辐射跃迁－－减少非辐射的复合中心（主要是晶体缺陷） 2.形成稳定的需要的能级差－－a.有效掺杂b.降低结温 提高LED发光效率的要做到以下几种技术： 一、透明衬底技术 二、金属膜反射技术 三、表面微结构技术 四、倒装芯片技术 五、芯片键合技术 六、激光剥离技术（LLO） 一、透明衬底技术 InGaAlP LED通常是在GaAs衬底上外延生长InGaAlP发光区GaP窗口区制备而成。与InGaAlP相比，GaAs材料具有小得多的禁带宽度，因此，当短波长的光从发光区与窗口表面射入GaAs衬底时，将被悉数吸收，成为器件出光效率不高的主要原因。在衬底与限制层之间生长一个布喇格反射区，能将垂直射向衬底的光反射回发光区或窗口，部分改善了器件的出光特性。一个更为有效的方法是先去除GaAs衬底，代之于全透明的GaP晶体。由于芯片内除去了衬底吸收区，使量子效率从4％提升到了25-30％。为进一步减小电极区的吸收，有人将这种透明衬底型的InGaAlP器件制作成截角倒锥体的外形，使量子效率有了更大的提高。 二、金属膜反射技术 透明衬底制程首先起源于美