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用于动脉张力测定法阵列式悬臂血压传感器
用于动脉张力测定法的阵列式悬臂血压传感器 动脉张力测定法原理 硅的压电电阻效应 硅体微机械加工技术 硅晶面与各向异性 硅晶面与各向异性 阵列式悬臂血压传感器设计 阵列式悬臂血压传感器加工过程 阵列式悬臂血压传感器加工过程 阵列式悬臂血压传感器加工过程 阵列式悬臂血压传感器加工过程 阵列式悬臂血压传感器加工过程 阵列式悬臂血压传感器实物 阵列式悬臂血压传感器测试 阵列式悬臂血压传感器测血压 *Company Logo * LOGO 压电电阻效应 在晶体上施加外力时,其电导率变化的性质为压电电阻效应。 文中用硅膜片上掺入硼离子的一小部分作为压电电阻器使用,压力发生变化时该区域的电阻会发生变化,通过电阻值反映压力值。 压电电阻系数 压电电阻系数指的是压电电阻器电阻变化率与压力的比值。单位:%/N 湿法刻蚀 干法刻蚀 湿法刻蚀的机理是基于化学反应,刻蚀时先将材料氧化,然后通过化学反应,使一种或多种氧化物溶解。 用等离子体轰击硅晶片,使硅晶片的表面原子脱落,同时等离子体中的电子、离子、游离原子与硅发生化学作用,生成挥发性物质,通过这样的物理、化学双重作用刻蚀硅晶片的技术称为干法刻蚀。 在晶体中,原子的排列构成了许多不同方位的晶面,故要用晶面指数来分别表示这些晶面。晶面指数的确定方法如下:?? 1.对晶胞作晶轴X、Y、Z,以晶胞的边长作为晶轴上的单位长度;?? 2.求出待定晶面在三个晶轴上的截距(如该晶面与某轴平行,则截距为∞),例如??1、1、∞;1、1、1;1、1、1/2等;?? 3.取这些截距数的倒数,例如??110,111,112等;?? 4.将上述倒数化为最小的简单整数,并加上圆括号,即表示该晶面的指数,一般记为(hkl),例如(110),(111),(112)等。 晶面 (100) (111) (112) 外部压力恒定情况下,桡动脉血压测量结果 外部压力先增大,后减小情况下,桡动脉血压测量结果 *Company Logo
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