半导体测试与分析1ppt课件.ppt

用四探针法测量半导体电阻率应注意的问题 一、在电位探针与被测样品表面的接触界面处仍然存在着接触电阻。 ro是把接触面看成半球时的球半径，是一个μm的尺寸，因而接触电阻Rs的大小差不多是被测样品电阻率数值的千倍左右。 为了避免这个大电阻对电位测量的影响， 应选用高内阻数字电压表或电位差计来测量探针2、3之间的电位差。电位差计的阻抗要适中，阻抗太高时测量不灵敏，太低又容易在接触上产生足以影响精确度的压降，通常以阻抗不小于被测样品电阻率值十万到一百万倍为宜。 二、探针尖的处理： 以上的全部讨论都是从点电流源出发的，·亦即探针与被测表面的接触是半径很小的半球面，这就要求针尖十分锐利，其曲率半径须在50μm以下。 如果针尖很秃，其接触就有可能是某种任意形状的小平面或几个点，使电流源的性质发生变化。这种变化，必然引起电场性质的变化。同时，针尖太粗还可能导致针距的改变。所有这些都有可能带来测量误差。 采用钨针时，可用NaOH溶液电解腐蚀法形成合适的针尖。 三、探针须固定，并有一定的刚性。 其摆动不仅会造成针距的变化，而且会引起接触电阻的变化。 为了使探针与样品表面形成良好的欧姆接触，应在探针与被测表面之间施加一定的压力，一般为1—2N。 半导体材料的测试分析 前言 半导体材料中杂质和缺陷的重要性 随着半导体技术和科学的发展，对杂质和缺陷的检测方法在准确性和精度方面要求越来越高 检测内容也发生了变化。 从材料缺陷宏观观察和电学性质的宏观测量转移到对表面、界面及薄膜的组分、结构和特征参数的细微研究。 从对杂质和缺陷宏观效果评价发展到对他们电子结构及相互作用的探索 人类在自然科学和工程技术方面的长足进步，也为半导体材料的检测和分析提供了多种物理、化学方法 电阻率与杂质浓度测试 电阻率是半导体材料最重要的电特性之一 电阻率值的大小是设计器件参数以及器件制造过程中选择材料、控制工艺条件的重要依据 半导体生产过程中的电阻率测量是十分频繁的，也是非常关键的。准确易行的电阻率测量方法对于保证器件质量以及新材料、新器件、新工艺的开发都是十分必要的。 半导体电阻率的测量与导体的电阻率测量是有区别的 1、在金属与半导体接触的界面附近也要产生一个耗尽层。因为金属的电子密度极高，因而这个耗尽层展宽在半导体一边。耗尽层中只有不能自由运动的电离杂质，它们不能参与导电，因而这是一个高阻层。同时，任何两种材料的小面积接触都会在接触处产生扩展电阻。尤其是对金属—半导体点接触，这个扩展电阻会很大，人们常常把这两个因接触而产生的高电阻统称为接触电阻。因此，当用欧姆表来测量半导体时，这个巨大的接触电阻就会使结果面目全非，毫不可信。 2、功函数不同的两种金属制品在接触时也要因接触电势差而在界面上出现一个电荷偶层，但这个空间电荷层极薄，每边只有约一个原于层厚，远小于电子的扩散长度，因而对载流子没有阻挡作用。同时，金属与金属的小面积接触的扩展电阻也很小。因此，上述方法对测量金属导体的电阻率是精确的。 3、由非平衡载流子的电注入效应可以想到，如果被测半导体是n型，那么测量电流将通过正电极向半导体注入空穴；若被测半导体是P型则会从负电极向半导体注入电子。这些注入的少数载流子在外电场的驱使下向另一电极漂移，参与导电。在注入电极附近的某一范围内，载流子密度因此而高于载流子的热平衡密度，因而测量结果不能反映材料电阻率的真正大小。对于热平衡载流子密度较低的高阻材料，其接触电阻更大，少子注入的影响也更加严重。 半导体的特殊性使我们在测量其电阻率时不能使用测量金属导体电阻率时通常使用的方法，而必须使用根据其特点设计的一些专用方法。 探针法、C—V测试法、霍尔测试法等等。 在这些方法中，探针法最简便易行，因而使用面最广。 探针法依其测试原理分为电位探针法、击穿探针法、扩展电阻探针法 两个改进措施 补偿法来测量电压，以避免探针与半导体之间高阻接触对测量结果的影响 两个端电极与被测半导体之间为欧姆接触，因而避免了少数载流子的注入 二探针法的优点和缺点 优点：不受样品尺寸大小的影响和电流源少子注入的影响等 缺点：对样品的形状和电阻率的均匀性要求严格，而且还需要大面积的欧姆接触电极，在实际应用中颇不方便 四探针法 用四探针法测量半导体电阻率的基本实验装置如图。 四根金属探针相互保持一定距离，同被测半导体的某一平坦表面接触。恒流源通过两外侧探针向半导体样品输入稳定电流I，在样品中产生一稳定电流场，然后借助于两根内探针测量该电流场中某两点间的电位差U。电流场理论对各种样品形状提供了I、U与样品材料电阻率ρ之间的函数关系。 第一类情形：半无限大样品 如果电流源位于某一个界面上但距其余各界面足够远，则可视其为半无限大 探针的布置方