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* * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * 1 * * * * * * * * * * * * Atomic layer deposition (ALD) Thanks! Enjoy your good weekend * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * Chemical Vapor Deposition (CVD) of Teflon?-like Films 8.PECVD的应用 2.4.5 等离子体化学气相沉积(PECVD) low stress silicon oxide thickness range: 1000 to 10000 nm thickness non-uniformity: ±2.5% (across wafer) deposition temperature: 300°C refractive index (633 nm): 1.50±0.02 mechanical stress: 230 MPa (tensile) dielectric constant: 4.1 tensile stress silicon oxide thickness range: 100 to 2000 nm thickness non-uniformity: ±3.0% (across wafer) deposition temperature: 300°C refractive index (633 nm): 1.50±0.02 mechanical stress: 230 MPa (tensile) dielectric constant: 4.1 low stress silicon nitride (Si:N) thickness range: 100 to 3000 nm thickness non-uniformity: ±3.0% (across wafer) deposition temperature: 300°C refractive index (633 nm): 2.00±0.01 mechanical stress: ±50 MPa (tensile) dielectric constant: 4.1 compressive stress silicon nitride (Si:N) thickness range: 100 to 1500 nm thickness non-uniformity: ±2.5% (across wafer) deposition temperature: 300°C refractive index (633 nm): 2.04±0.015 mechanical stress: 520±20 MPa (compressive) dielectric constant: 4.1 tensile stress silicon nitride (Si:N) thickness range: 100 to 10000 nm thickness non-uniformity: ±4.0% (across wafer) deposition temperature: 300°C refractive index (633 nm): 2.03±0.02 mechanical stress: 440±150 MPa (tensile) dielectric constant: 4.1 silicon oxi-nitride (Si:N:O) thickness range: 100 to 10000 nm thickness non-uniformity: ±3.0% (across wafer) deposition temperature: 300°C refractive index (633 nm): 1.569±0.003 mechanical stress: ±30 MPa (tensile) dielectric constant: 4.1 8.PECVD的应用 2.4.5 等离子体化学气相沉积(PECVD) PECVD movies PECVD movies 化学反应沉积(CVD) 2.4.1 化学气相沉积的基本原理 2.4.2 化学气相沉积的特点 2.4.3 CVD方法简介 2.4.4 低压化学气相沉积(LPCVD) 2.4.5 等离子体化学气相沉积(PECVD) 2.4.6 金属有机化学气相沉积(MO
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