凝固材料学工程基础课件汇总.ppt

  1. 1、本文档共72页,可阅读全部内容。
  2. 2、有哪些信誉好的足球投注网站(book118)网站文档一经付费(服务费),不意味着购买了该文档的版权,仅供个人/单位学习、研究之用,不得用于商业用途,未经授权,严禁复制、发行、汇编、翻译或者网络传播等,侵权必究。
  3. 3、本站所有内容均由合作方或网友上传,本站不对文档的完整性、权威性及其观点立场正确性做任何保证或承诺!文档内容仅供研究参考,付费前请自行鉴别。如您付费,意味着您自己接受本站规则且自行承担风险,本站不退款、不进行额外附加服务;查看《如何避免下载的几个坑》。如果您已付费下载过本站文档,您可以点击 这里二次下载
  4. 4、如文档侵犯商业秘密、侵犯著作权、侵犯人身权等,请点击“版权申诉”(推荐),也可以打举报电话:400-050-0827(电话支持时间:9:00-18:30)。
查看更多
凝固材料学工程基础课件汇总

* 2、单晶体的制备: 单晶制备: 利用形核需较大过冷度,控制形核(超纯、小过冷度)。 a.尖端形核法 b.直拉法 — (可拉制Ф300mm的大直径单晶) c.区熔法 — (可生产高纯度Ф150mm的小直径单晶) * * 直拉单晶照片 * 65、75、81、87、92、2000年硅片发展趋势 * 3 定向凝固: 单一方向散热生产单一方向柱状晶零件,如蜗轮叶片,受力好。 定向单晶 普通 定向 * 4.非晶态合金 — 金属玻璃 高速凝固,将液态金属结构强制固定到室温。 a.电铸法:从溶液中沉积。 如非晶态镍 b.离心急冷法: 液态金属连续喷射到高 速旋转的冷却圆筒内壁。 c.轧制急冷法: * 5.微晶态合金— 喷雾急冷制粉 + 冷热挤压成型 制备超细晶粒的合金,μm或nm级,具有高强、高硬、超塑性。 如:Fe-Ni微晶合金:Hv=700,普通材料:Hv=250 Al-Cu微晶合金:δ=600% * 人有了知识,就会具备各种分析能力, 明辨是非的能力。 所以我们要勤恳读书,广泛阅读, 古人说“书中自有黄金屋。 ”通过阅读科技书籍,我们能丰富知识, 培养逻辑思维能力; 通过阅读文学作品,我们能提高文学鉴赏水平, 培养文学情趣; 通过阅读报刊,我们能增长见识,扩大自己的知识面。 有许多书籍还能培养我们的道德情操, 给我们巨大的精神力量, 鼓舞我们前进。 * * 不同材料的形核率 对粘性材料,如玻璃、氧化物陶瓷、高分子,当ΔT小时,△G*大,形核率低。ΔT大时,因Q高,也不容易形成晶体。 cm-3sec-1 对于金属材料,由于其扩散活化能Q低,凝固倾向很大,在达到 很大过冷度之前已凝固完毕,因 此不出现下降部分。 通过计算得出金属形核率满足: 0.2Tm Tm →ΔT * 均匀形核的主要障碍是表面能ΔGS的增高,如果液 体中有现成的基面,晶胚依附在上面形核,阻力减小, 形核容易。 1、非均匀形核的rc*和ΔGc* 设:在液态金属中,晶胚依附 在外来杂质或模壁W上形核, 晶胚为球冠状,曲率半径为rC, 与基面的润湿角为θ。 W σLW S σSW 二、非均匀形核 σLS rC h L θ θ * 其中: 非均匀形核因子 经推导,并与均匀形核相比较,可得: r* = rc* * 讨论: 在相同过冷度下,均匀形核与非均匀形核的临界晶核半径相等,∝1/ΔT。 K随θ从0o ~ 180o在0 ~ 1之间变化;K≤1 W θ=0o K=0 W θ=180o K=1 VC* V* 所需结构起伏小 ΔGC* ΔG* 所需能量起伏小 易于形核 W θ=90o K=1/2 * 2、非均匀形核率 及其影响因素 由于非均匀形核功较小,所以可在较小的过冷度下获得较高的形核率。 均匀与非均匀形核率具有相似的表达式,即: ΔT 0 0.2Tm 0.02Tm 两者形核功只相差一个K。 所以,凡影响均匀形核的因素, 对非均匀形核也有影响。此外: K和形核位置也有影响。 * 影响因素 与均匀形核相同,ΔT↗、rC*↘、ΔGC*↘、 ↗。 杂质与晶胚结构相似,原子间距相当,则: θ↘、 K↘、 ΔGC* ↘、 ↗。 杂质质点越多、越细小、表面越粗糙,与液态金属接 触面积越大,形核位置越多, ↗。 过热将使现有质点熔化减少,不利于形核。 * 3.4 长大 核心问题:长大速度、长大方式和形态。 从微观来看:原子总是存在相向跃迁。 L原子向S表面跃迁 — 凝固 S原子向L跃迁 —— 熔化 在不同温度下以上速度不等! 一、晶体长大的条件 长大速率 — 单位时间L/S界面向前推进的距离。 L/S S L * 当L→S时,原子跃迁频率为: L/S S L L态 S态 G GL GS Q L/S界面 δ L S -ΔGS-L 其中:v为原子的振动频率 Q为扩散激活能 当S →L时: 其中:ΔGS-L = GS – GL 相变驱动力 ) exp( RT Q v f S L - = ? ) exp( RT G Q v f L S L S - ? D - - = * 设原子间距为δ(界面厚度),则: * 讨论: L/S界面前沿液相一侧 T Tm 时,驱动力ΔGS-L 0 结论:晶体长大的条件是L/S界面前沿液相一侧

文档评论(0)

skvdnd51 + 关注
实名认证
内容提供者

该用户很懒,什么也没介绍

1亿VIP精品文档

相关文档