模电1-常用半导体器件课件.pptVIP

模拟电子技术 I. 电子技术发展史 I. 电子技术发展史 电子器件是按照“电子管——晶体管——集成电路”的顺序，逐步发展起来的。 II .电子技术的应用 自电子器件出现至今，电子技术已经应用到了社会的各个领域。 II .电子技术的应用 模拟电子技术知识框架图 主要参考资料 1、《模拟电子技术基础》.华成英.高等教育出版社(第四版) 2、《电子技术实验》.石焕玉等编. 3、《电子技术基础》(模拟部分).康华光主编. 高等教育出版社 4、《模拟电子技术基础》华成英(第四版)习题解答（因网络不通，暂时没法放在系网页上，需要者来复制） 小结 本征半导体→掺入杂质形成N（P）形半导体→NP半导体结合形成PN结→PN结具有单向导电性→PN结封装、引线构成二极管→二极管伏安特性及主要指标→二个PN结封装、引线构成三极管→放大条件→三极管输入、输出特性 由三块半导体构成，分为NPN型和PNP型两种。三极管含有3极、2结、3区。其中发射区高掺杂，基区较薄且低掺杂，集电区一般掺杂。 1 .3 晶体三极管（Transistor） 1 .3 .1 三极管结构及符号 1 .3 三极管（Transistor） 1 .3 .2 三极管的三种接法（三种组态） 三极管在放大电路中有三种接法：共发射极、共基极、共集电极。 1 .3 三极管（Transistor） 1 .3 .3 三极管内部载流子传输 下面以共发射极NPN管为例分析三极管内部载流子的运动规律，从而得到三极管的放大作用。 为保证三极管具有放大作用（直流能量转换为交流能量），三极管电路中必须要有直流电源，并且直流电源的接法必须保证三极管的发射结正偏、集电结反偏 。 1 .3 .3 三极管内部载流子传输 一.发射区向基区 发射载流子(电子) I EN I BN 1 .3 .3 三极管内部载流子传输 一.发射区向基区 发射载流子(电子) 二.电子在基区的 疏运输运和复合 I B I E I CBO I C I CN I BN 1 .3 .3 三极管内部载流子传输 一.发射区向基区 发射载流子(电子) 二.电子在基区的 疏运输运和复合 三.集电区收集电子 1 .3 .4 三极管各极电流关系 一. 各极电流关系 IE = IEN + IBN ≈ IEN IB = IBN － ICBO IC = ICN + ICBO IE = IC + IB 二. 电流控制作用 β=ICN / IBN≈IC / IB IC=βIB + (1+ β)ICBO =βIB + ICEO ≈β IC α=ICN / IEN≈IC / IE IC= αIE + ICBO ≈ α IE 1 .3 .5 共射NPN三极管伏安特性曲线 一. 输入特性曲线 IB = f ( UBE ，UCE ) 实际测试时如下进行： IB = f ( UBE )|UCE UCE ＞5V的特性曲线基本重合为一条，手册可给出该条曲线。 1 .3 .5 共射NPN三极管伏安特性曲线 二. 输出特性曲线 IC = f ( IB ，UCE ) 实际测试时如此进行： IC = f ( UCE )|IB 1 .3 .5 共射NPN三极管伏安特性曲线 二. 输出特性曲线 IC = f ( IB ，UCE ) 实际测试时如下进行： IC = f ( UCE )|IB 发射结正偏、集电结反偏时，三极管工作在放大区(处于放大状态)，有放大作用：IC =βIB + ICEO 两结均反偏时，三极管工作在截至区(处于截止状态) ，无放大作用。IE=IC=ICEO≈0 发射结正偏、集电结正偏时，三极管工作在饱和区(处于饱和状态) ，无放大作用。IE=IC（较大） 1 .3 .6 三极管主要参数 一. 电流放大系数 1. 共发射极电流放大系数 直流β≈IC/IB 交流β≈ΔIC/ΔIB 均用β表示。 2. 共基极电流放大系数 直流α≈IC/IE 交流α≈ΔIC/ΔIE 均用α表示。 二. 反向饱和电流 1.集电极—基极间反向饱和电流ICBO 2.集电极—发射极间穿透电流ICEO ICEO = (1+β) ICBO β=α/(1－α) α=β/(1+β) 1 .3 .6 三极管主要参数 一. 电流放大系数 β≈IC/IB α≈IC/IE β=α/(1－α) α=β/(1+β) 二. 反向饱和电流 ICBO ICEO ICE