第3章：场效应管及其放大电路课件.pptVIP

第三章 场效应管及其放大电路 3.1 结型场效应管 3.2 绝缘栅型场效应管 3.3 场效应管放大电路 半导体三极管(场效应管）图片 半导体三极管图片 3.1 结型场效应管 2、工作原理 3、特性曲线 4、结型场效应管的主要参数 （1）直流参数 夹断电压UGS（off） 漏极饱和电流IDSS 直流输入电阻RGS （2）交流参数 跨导gm 极间电容 （3）极限参数 漏极最大允许耗散功率 最大漏极电流 栅源击穿电压 漏源击穿电压 4、耗尽型MOS管 5、双极型和场效应型三极管的比较 双极型三极管 场效应三极管 结构 NPN型 结型耗尽型 N沟道 P沟道 PNP型 绝缘栅增强型 N沟道 P沟道 绝缘栅耗尽型 N沟道 P沟道 C与E一般不可倒置使用 D与S有的型号可倒置使用 载流子 多子扩散少子漂移 多子漂移 输入量 电流输入 电压输入 控制 电流控制电流源CCCS(β) 电压控制电流源VCCS(gm) 双极型三极管 场效应三极管 噪声 较大 较小 温度特性 受温度影响较大 较小，可有零温度系数点 输入电阻 几十到几千欧姆 几兆欧姆以上 静电影响 不受静电影响 易受静电影响 集成工艺 不易大规模集成 适宜大规模和超大规模 集成 3.3 场效应管放大电路 一、静态分析 3.3.2 场效应管的微变等效电路 3.3.3 场效应管放大电路 2、共漏极放大电路 3、共栅极放大电路 (1) 静态：适当的静态工作点，使场效应管工作在恒流区，场效应管的偏置电路相对简单。 (2) 动态：能为交流信号提供通路。 组成原则： 静态分析： 估算法、图解法。 动态分析： 微变等效电路法。 分析方法： 1、自给偏压 （1）适用于结型和耗尽型场效应管 （2）RG为几兆欧，IG=0，所以UG=0 （3）UGS=UG-US= -ID*RS，即相当于UGS之间加负电压 结型场效应管的输出特性和转移特性 （4）静态分析 主要求解：IDQ，UGSQ，UDSQ IDQ，UGSQ UDSQ=VDD-IDQ(RS+RD) 2、分压式偏置 （1）适合于各种类型场效应管。 USQ=IDQ*RS UGSQ可能大于零，也可能小于零。如果大于零，则适合增强型场效应管，反之则适合耗尽型和结型。 （2）静态分析 IDQ,UGSQ UDSQ=VDD-IDQ(RS+RD) 例1 已知ED=20V，RD=RS=10K，R1=200k，R2=51k，RG=1M，IDSS=4mA，UGS（off）=-4V。试估算静态工作点。 解： ID1=0.64mA,UGS1=-2.4V ID2=1mA,UGS2=-6V 第2组解不合题意 1、共源极放大电路 * * 场效应管称为单极型三极管，只有一种载流子参与导电。 前面讲述的晶体管是双极型三极管，有两种载流子参与导电。 N 基底 ：N型半导体 P P 两边是P区 G(栅极) S源极 D漏极 （1）、结构 1、 结型场效应管结构和类型: 导电沟道 N P P G(栅极) S源极 D漏极 N沟道结型场效应管 D G S D G S （2）、分类 P N N G(栅极) S源极 D漏极 P沟道结型场效应管 D G S D G S （1）UDS=0时，改变UGS UDD=0，UGS=0 此时导电沟道最宽 UDD=0，UGS加负电压 此时导电沟道随UGS所加负压的增大而变窄 UDD=0，UGS加负电压小于UGS（off）时 此时导电沟道完全被夹断 （2）UDS对导电沟道的影响 当UGS加负电压，UDS增加时，可以知道耗尽层形状不规则 导电沟道上端的耗